半导体工艺设备及腔室压力调节方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311220470.4
申请日
2023-09-20
公开(公告)号
CN119663250A
公开(公告)日
2025-03-21
发明(设计)人
张利军 胡云龙
申请人
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
C23C16/52
IPC分类号
H01L21/67 C23C16/54
代理机构
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人
汤金燕
法律状态
实质审查的生效
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
左杰 .
中国专利 :CN118866637A ,2024-10-29
[2]
半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
王宏伟 .
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[3]
半导体工艺腔室、半导体工艺设备和半导体工艺方法 [P]. 
王勇飞 ;
侯珏 ;
兰云峰 ;
王洪彪 ;
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[4]
工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
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董子晗 .
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[5]
半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备 [P]. 
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光娟亮 .
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[6]
半导体工艺设备及腔室压力控制方法 [P]. 
周广才 ;
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中国专利 :CN114281120B ,2024-03-26
[7]
半导体工艺设备及腔室压力控制方法 [P]. 
周广才 ;
刘学庆 .
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[8]
净化腔室及半导体工艺设备 [P]. 
程晨 ;
孙晋博 ;
杨帅 ;
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韩子迦 .
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[9]
装载腔室及半导体工艺设备 [P]. 
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中国专利 :CN220543862U ,2024-02-27
[10]
净化腔室及半导体工艺设备 [P]. 
程晨 ;
孙晋博 ;
杨帅 ;
姚晶 ;
韩子迦 .
中国专利 :CN112331587B ,2024-03-26