多孔微电极阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510000703.2

申请日：

2025-01-02

公开(公告)号：

CN119390008B

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

孙鎏炀路云晓叶一霏

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

B81C1/00

IPC分类号：

C12N5/079 G01N33/487 G01N27/327

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

邓琪;熊俊杰

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	授权	授权
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B81C 1/00申请日:20250102

共 50 条

[1]

多孔微电极阵列的制备方法 [P].

孙鎏炀 ;

路云晓 ;

叶一霏 .

中国专利 :CN119390008A ,2025-02-07

[2]

微电极阵列及其制备方法 [P].

张翊 .

中国专利 :CN108751117A ,2018-11-06

[3]

阵列微电极、阵列微电极制备方法及阵列微孔加工方法 [P].

雷建国 ;

沈昊天 ;

吴慧勇 ;

徐斌 ;

郭程 ;

赵春洋 ;

程蓉 ;

伍晓宇 .

中国专利 :CN117340372A ,2024-01-05

[4]

微电极阵列 [P].

邢楚枫 .

中国专利 :CN223169743U ,2025-08-01

[5]

抗位移微电极、微电极束、和微电极阵列 [P].

J·舒恩伯格 ;

G·林德 ;

C·赫斯特 ;

L-A·克莱门茨 .

中国专利 :CN103153392B ,2013-06-12

[6]

一种微电极阵列的制备方法 [P].

吴天准 ;

李腾跃 ;

孙滨 .

中国专利 :CN106646048A ,2017-05-10

[7]

一种微电极阵列的制备方法 [P].

王哲哲 ;

温馨 ;

郑志强 .

中国专利 :CN106219483A ,2016-12-14

[8]

一种微电极阵列的制备方法 [P].

王哲哲 ;

郑志强 .

中国专利 :CN109319731A ,2019-02-12

[9]

一种微电极阵列的制备方法 [P].

张继中 .

中国专利 :CN102092674A ,2011-06-15

[10]

毫微电极阵列 [P].

约翰·P·佩特斯 .

中国专利 :CN1278917A ,2001-01-03

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