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IGBT器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411859460.X
申请日：
2024-12-17
公开(公告)号：
CN119730269A
公开(公告)日：
2025-03-28
发明(设计)人：
高宗朋 曾大杰
申请人：
上海鼎阳通半导体科技有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路666弄1号609室
IPC主分类号：
H10D12/00
IPC分类号：
H10D64/27 H10D62/10
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 12/00申请日:20241217
2025-03-28 公开 公开
共 50 条
[1]
一种IGBT器件制备方法及IGBT器件 [P]. 
刘道国 .
中国专利 :CN115497823A ,2022-12-20
[2]
IGBT器件 [P]. 
韩健 ;
顾悦吉 ;
黄示 ;
陈琛 .
中国专利 :CN205231070U ,2016-05-11
[3]
IGBT器件 [P]. 
龚轶 ;
王睿 ;
刘伟 ;
袁愿林 ;
王鑫 .
中国专利 :CN113748520B ,2021-12-03
[4]
IGBT器件 [P]. 
吴小利 ;
王海军 .
中国专利 :CN114883322B ,2024-06-11
[5]
IGBT器件 [P]. 
吴小利 ;
王海军 .
中国专利 :CN114864574A ,2022-08-05
[6]
IGBT器件 [P]. 
吴小利 ;
王海军 .
中国专利 :CN114883322A ,2022-08-09
[7]
IGBT器件 [P]. 
吴小利 ;
王海军 .
中国专利 :CN114864574B ,2024-08-27
[8]
IGBT器件结构 [P]. 
温世达 ;
陶少勇 ;
吕磊 ;
曹新明 .
中国专利 :CN210984734U ,2020-07-10
[9]
IGBT器件的制作方法及IGBT器件 [P]. 
颜天才 ;
钟育腾 ;
吕昆谚 ;
黄任生 ;
杨列勇 ;
陈为玉 .
中国专利 :CN116721918B ,2024-12-27
[10]
一种SiC IGBT器件 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN213459736U ,2021-06-15
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