辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210318430.2

申请日：

2022-03-29

公开(公告)号：

CN114676575B

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

曾雉刘俊

申请人：

中国科学院合肥物质科学研究院

申请人地址：

230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

IPC主分类号：

G06F30/20

IPC分类号：

G06F119/14 G06F111/10

代理机构：

合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124

代理人：

闫客

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	授权	授权
2025-05-23	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G06F 30/20变更事项:发明人变更前:曾雉刘俊变更后:曾雉刘俊李永钢张传国

共 50 条

[1]

辐照半导体中载流子捕获动力学模拟方法及装置 [P].

曾雉 ;

刘俊 .

中国专利 :CN114676575A ,2022-06-28

[2]

一种半导体载流子动力学测试仪器及测试方法 [P].

林乾乾 .

中国专利 :CN115728250B ,2024-08-27

[3]

分子动力学模拟方法及装置 [P].

黄继辉 ;

宋英 ;

周鑫 ;

裘思甜 .

中国专利 :CN118280458A ,2024-07-02

[4]

分子动力学模拟方法及装置 [P].

黄继辉 ;

宋英 ;

周鑫 ;

裘思甜 .

中国专利 :CN118280458B ,2024-09-20

[5]

基于分子动力学的非晶碳薄膜辐照及模拟力学测试方法 [P].

周青 ;

石烨然 ;

华东鹏 ;

夏桥生 ;

柴利强 ;

王鹏 ;

王海丰 .

中国专利 :CN119049570A ,2024-11-29

[6]

分子动力学模拟中壁面边界的模拟方法 [P].

冯洁 ;

朱恂 ;

王宏 ;

吴睿 ;

丁玉栋 ;

廖强 ;

叶丁丁 ;

李俊 ;

王永忠 .

中国专利 :CN101944151B ,2011-01-12

[7]

分子动力学模拟方法、装置及介质 [P].

黄文炳 ;

吴黎明 .

中国专利 :CN117690498A ,2024-03-12

[8]

辐照下锆基合金中位错环半径动力学模拟方法及模型系统 [P].

吴璐 ;

张伟 ;

信天缘 ;

何文 ;

伍晓勇 ;

潘荣剑 ;

覃检涛 ;

滕常青 ;

方忠强 ;

杨帆 ;

温榜 ;

毛建军 ;

张烁 ;

宋小蓉 .

中国专利 :CN112507539B ,2021-03-16

[9]

模拟难熔高熵合金离子辐照的分子动力学方法及装置 [P].

王亮 ;

李哲 ;

刘琛 ;

于倩 ;

杜佳欣 ;

张庆达 ;

苏宝献 ;

苏彦庆 .

中国专利 :CN120783878A ,2025-10-14

[10]

基于分子动力学模拟三元化合物半导体位移损伤的方法 [P].

王祖军 ;

贾同轩 ;

薛院院 ;

唐明华 ;

焦仟丽 ;

刘敏波 ;

何宝平 ;

马武英 ;

盛江坤 ;

董观涛 ;

缑石龙 .

中国专利 :CN113362902B ,2021-09-07

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