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一种新型功率器件的制备方法及功率器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411975013.0
申请日
:
2024-12-31
公开(公告)号
:
CN119403160B
公开(公告)日
:
2025-04-04
发明(设计)人
:
高学
柴展
罗杰馨
申请人
:
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址
:
201800 上海市嘉定区兴文路1277号5幢1层、2层
IPC主分类号
:
H10D30/01
IPC分类号
:
H10D30/66
H01L23/48
代理机构
:
上海欣创专利商标事务所(普通合伙) 31217
代理人
:
包宇霆
法律状态
:
公开
国省代码
:
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-07
公开
公开
2025-02-25
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241231
2025-04-04
授权
授权
共 50 条
[1]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件
[P].
高学
论文数:
0
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0
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
高学
;
柴展
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
柴展
;
罗杰馨
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
罗杰馨
.
中国专利
:CN119677124A
,2025-03-21
[2]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件
[P].
高学
论文数:
0
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0
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
高学
;
柴展
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
柴展
;
罗杰馨
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
罗杰馨
.
中国专利
:CN119403160A
,2025-02-07
[3]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件
[P].
高学
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
高学
;
柴展
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
柴展
;
罗杰馨
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
罗杰馨
.
中国专利
:CN119403157A
,2025-02-07
[4]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件
[P].
高学
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
高学
;
柴展
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
柴展
;
罗杰馨
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
罗杰馨
.
中国专利
:CN119403158A
,2025-02-07
[5]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件
[P].
高学
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
高学
;
柴展
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
柴展
;
罗杰馨
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
罗杰馨
.
中国专利
:CN119403159A
,2025-02-07
[6]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件
[P].
高学
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0
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
高学
;
柴展
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
柴展
;
罗杰馨
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机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
罗杰馨
.
中国专利
:CN119403159B
,2025-04-29
[7]
功率器件的制备方法及功率器件
[P].
邱海亮
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0
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邱海亮
;
闻正锋
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闻正锋
;
马万里
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马万里
;
赵文魁
论文数:
0
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0
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赵文魁
.
中国专利
:CN106298744B
,2017-01-04
[8]
功率器件的制备方法及功率器件
[P].
赵圣哲
论文数:
0
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0
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0
赵圣哲
.
中国专利
:CN106328533A
,2017-01-11
[9]
一种功率器件的制备方法及功率器件
[P].
蔡政原
论文数:
0
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0
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0
蔡政原
.
中国专利
:CN113658866A
,2021-11-16
[10]
一种功率器件的制备方法及功率器件
[P].
党晓军
论文数:
0
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0
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机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
党晓军
;
董建新
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机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
董建新
;
衷世雄
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机构:
上海韦尔半导体股份有限公司
上海韦尔半导体股份有限公司
衷世雄
.
中国专利
:CN118486596A
,2024-08-13
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