AgCuI<sub>2</sub>单晶及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411991698.8

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119843366A

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

刘满营杨苗苗张艳鸽郑直

申请人：

许昌学院

申请人地址：

461000 河南省许昌市八一路88号许昌学院

IPC主分类号：

C30B29/52

IPC分类号：

C30B7/10

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

乔宇;李艳景

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河南省许昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/52申请日:20241231
2025-04-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种TiO<sub>2</sub>-ZrO<sub>2</sub>薄膜及其制备方法和应用 [P].

李燕 ;

柳黎 ;

朱世东 .

中国专利 :CN118201444A ,2024-06-14

[2]

一种WO<sub>2</sub>材料及其制备方法和应用 [P].

武明星 ;

张君梦 ;

焦鸿昊 ;

郭佳宁 ;

马婧媛 .

中国专利 :CN116282172B ,2024-10-25

[3]

一种PEA<sub>0.1</sub>(FA<sub>0.75</sub>MA<sub>0.25</sub>)<sub>0.9</sub>SnI<sub>3</sub>钙钛矿前驱体溶液及其制备方法和应用 [P].

王明昊 ;

赵东 ;

李晨 .

中国专利 :CN117247322B ,2025-09-23

[4]

一种SnS<sub>2</sub>@SnO<sub>2</sub>异质结光催化剂及其制备方法和应用 [P].

王世锋 ;

王金农 ;

何杰 .

中国专利 :CN118304902A ,2024-07-09

[5]

一维Be<sub>3</sub>B<sub>2</sub>C<sub>3</sub>纳米管光电半导体材料及其制备方法和应用 [P].

王晓 ;

李嘉欣 .

中国专利 :CN118306996A ,2024-07-09

[6]

Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>及其制备方法和应用 [P].

夏斯阳 ;

陈红 ;

简磊 ;

李松江 ;

潘闻景 .

中国专利 :CN117342600A ,2024-01-05

[7]

KF·[SO<sub>2</sub>(NH<sub>2</sub>)]<sub>2</sub>化合物及其晶体、制备方法和应用 [P].

彭广 ;

闫玉臣 ;

叶宁 .

中国专利 :CN119841286A ,2025-04-18

[8]

一种n型高载流子浓度β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶材料及其制备方法和应用 [P].

王宏伟 ;

吕建华 ;

陈志国 .

中国专利 :CN121183431A ,2025-12-23

[9]

一种MCo<sub>2</sub>O<sub>4</sub>@MoS<sub>2</sub>/RGO电极材料及其制备方法和应用 [P].

冯辉霞 ;

冉晶 ;

杨万鹏 ;

谷一鸣 ;

候家瑞 ;

赵霞 ;

雒和明 ;

谭琳 ;

梁思婕 ;

杨世霞 .

中国专利 :CN115831622B ,2025-04-29

[10]

一种MnO<sub>2</sub>@MoS<sub>2</sub>/RGO电极材料及其制备方法和应用 [P].

冯辉霞 ;

冉晶 ;

刘亚飞 ;

杨甜甜 ;

张德懿 ;

王冰 ;

陈娜丽 ;

黄晓雪 ;

史伟 ;

杨万鹏 .

中国专利 :CN115440511B ,2025-10-17

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