半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411887983.5
申请日
2024-12-18
公开(公告)号
CN119789490A
公开(公告)日
2025-04-08
发明(设计)人
庄琼阳 顾才鑫 罗曦溪 胡浩林 万玉喜
申请人
深圳平湖实验室
申请人地址
518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋
IPC主分类号
H10D30/66
IPC分类号
H10D64/27 H10D30/01
代理机构
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274
代理人
胡萌
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备 [P]. 
庄琼阳 ;
顾才鑫 ;
罗曦溪 ;
胡浩林 ;
万玉喜 .
中国专利 :CN119789489A ,2025-04-08
[2]
半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备 [P]. 
王宇豪 ;
冯超 ;
刘轩 .
中国专利 :CN119208372A ,2024-12-27
[3]
半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备 [P]. 
王宇豪 ;
刘轩 ;
冯超 .
中国专利 :CN119208371A ,2024-12-27
[4]
半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备 [P]. 
王宇豪 ;
冯超 ;
刘轩 .
中国专利 :CN119208372B ,2025-03-07
[5]
半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备 [P]. 
王宇豪 ;
刘轩 ;
冯超 .
中国专利 :CN119208371B ,2025-03-07
[6]
半导体器件及其制备方法、电子设备 [P]. 
孟祺鑫 .
中国专利 :CN121123141A ,2025-12-12
[7]
半导体器件及其制备方法、电子设备 [P]. 
王英杰 ;
姜作衡 ;
顾怡恬 .
中国专利 :CN121057256A ,2025-12-02
[8]
半导体器件及其制备方法、电子设备 [P]. 
王英杰 ;
姜作衡 ;
顾怡恬 .
中国专利 :CN121057255A ,2025-12-02
[9]
半导体器件及其制备方法、电子设备 [P]. 
孟祺鑫 ;
刘羔 .
中国专利 :CN121054595A ,2025-12-02
[10]
半导体器件、芯片、电子设备及半导体器件的制备方法 [P]. 
王天玉 ;
王成 ;
朱继锋 .
中国专利 :CN119725307A ,2025-03-28