一种高平整度铬保护层图形化的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411836503.2

申请日：

2024-12-13

公开(公告)号：

CN119776828A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

赵留嘉李杰陈聪尹子轩吴杰姜理利贾世星黄旼郁元卫

申请人：

中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

IPC主分类号：

C23C28/02

IPC分类号：

H01L21/3213 C23F1/02 C23F1/26 C23F1/44 C23C14/16 C23C14/58 C25D7/12 C25D5/02 C25D5/48

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张婧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省大连市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 28/02申请日:20241213
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种金属层图形化方法 [P].

郭亮良 ;

刘煊杰 .

中国专利 :CN104934293B ,2015-09-23

[2]

一种超薄高平整度钼片加工方法 [P].

郭小君 ;

郭顺华 ;

吴敏 ;

王晖 .

中国专利 :CN1243120C ,2004-03-24

[3]

一种使用金属保护层的图形化导电高分子薄膜的方法 [P].

欧阳世宏 ;

许鑫 ;

朱大龙 ;

王东平 ;

谭特 ;

谢应涛 ;

石强 ;

蔡述澄 ;

方汉铿 .

中国专利 :CN103762159B ,2014-04-30

[4]

一种可提高平整度的像素电极制造方法 [P].

蒲贤勇 ;

陈轶群 ;

刘伟 ;

曾贤成 .

中国专利 :CN101399224A ,2009-04-01

[5]

一种高平整度表面几何形貌测量方法 [P].

朱绪胜 ;

周翮翔 ;

徐龙 ;

杨吉飞 ;

席先品 .

中国专利 :CN119103994A ,2024-12-10

[6]

一种图形化工艺方法 [P].

任书铭 .

中国专利 :CN106933054A ,2017-07-07

[7]

一种二次光刻图形化金属电镀工艺方法 [P].

刘亚楠 ;

汪丽杰 ;

刘强 ;

郭英俊 ;

彭航宇 ;

佟存柱 .

中国专利 :CN119877055A ,2025-04-25

[8]

双重图形化膜层的方法 [P].

孟晓莹 ;

何其旸 ;

韩秋华 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103681281A ,2014-03-26

[9]

一种金黑图形化的方法 [P].

张金英 ;

李德芳 ;

李卓 ;

王欣 ;

杨苏辉 ;

郝燕 .

中国专利 :CN111392689B ,2020-07-10

[10]

硅片的背面图形化的工艺方法 [P].

王雷 ;

程晋广 ;

郁新举 ;

成鑫华 .

中国专利 :CN103811407A ,2014-05-21

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