三电平功率半导体模块和具有该功率半导体模块的布置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411330477.6

申请日：

2024-09-24

公开(公告)号：

CN119727300A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

彼得·贝克达尔安德烈亚斯·沃尔法特马蒂亚斯·施庞

申请人：

赛米控丹佛斯电子股份有限公司

申请人地址：

德国

IPC主分类号：

H02M1/00

IPC分类号：

H02M7/00 H02M7/487 H02M7/5387

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

蔡石蒙;黄刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体模块和具有该功率半导体模块的系统 [P].

克里斯蒂安·约布尔 ;

赖纳·波普 ;

马可·莱德雷尔 ;

斯特凡·魏斯 .

中国专利 :CN104157635B ,2014-11-19

[2]

功率半导体模块和具有多个功率半导体模块的功率半导体模块组件 [P].

F.杜加 ;

D.特雷斯塞 .

中国专利 :CN103890941A ,2014-06-25

[3]

功率半导体模块和带有该功率半导体模块的系统 [P].

于尔根·汉森 ;

维尔纳·图尔斯基 .

中国专利 :CN104064526A ,2014-09-24

[4]

功率电子布置和具有该功率电子布置的功率半导体模块 [P].

内德察德·巴基亚 .

德国专利 :CN117855174A ,2024-04-09

[5]

功率半导体模块和生产功率半导体模块的方法 [P].

曼纽尔·诺德尔 ;

亚历山大·魏纳 .

中国专利 :CN115117011A ,2022-09-27

[6]

具有开关装置的功率半导体模块以及包括该功率半导体模块的布置 [P].

C·克罗内达 ;

B·陶舍尔 ;

A·沃尔特 ;

C·格布尔 ;

H·科博拉 .

中国专利 :CN105097716B ,2015-11-25

[7]

功率半导体模块和功率半导体模块系统 [P].

G.博格霍夫 .

中国专利 :CN102790029B ,2012-11-21

[8]

功率半导体布置、具有多个该布置的功率半导体模块以及包含多个该模块的模块组装件 [P].

F.杜加尔 .

中国专利 :CN102956571A ,2013-03-06

[9]

功率半导体模块或用于该功率半导体模块的控制模块 [P].

斯特凡·魏斯 ;

赖纳·波普 .

中国专利 :CN103178022A ,2013-06-26

[10]

功率半导体模块、具有功率半导体模块的逆变器 [P].

H·拉菲尔 ;

C·霍恩斯坦 .

德国专利 :CN120283305A ,2025-07-08

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