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一种BiCuSeO基热电器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411950626.9
申请日
:
2024-12-27
公开(公告)号
:
CN119816183A
公开(公告)日
:
2025-04-11
发明(设计)人
:
刘勇
陈善良
伊记涛
张馨月
申请人
:
佛山(华南)新材料研究院
申请人地址
:
528200 广东省佛山市南海区大沥镇盐步穗盐路河西路段92号-203号房
IPC主分类号
:
H10N10/80
IPC分类号
:
H10N10/852
H10N10/855
H10N10/01
代理机构
:
佛山信智汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44629
代理人
:
王宇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-29
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10N 10/80申请日:20241227
2025-04-11
公开
公开
共 50 条
[1]
一种基于BiCuSeO的热电器件及其制备方法
[P].
刘勇
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
佛山(华南)新材料研究院
佛山(华南)新材料研究院
刘勇
;
伊记涛
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机构:
佛山(华南)新材料研究院
佛山(华南)新材料研究院
伊记涛
;
张馨月
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0
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机构:
佛山(华南)新材料研究院
佛山(华南)新材料研究院
张馨月
;
陈善良
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0
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机构:
佛山(华南)新材料研究院
佛山(华南)新材料研究院
陈善良
.
中国专利
:CN120379509A
,2025-07-25
[2]
热电器件及其制备方法
[P].
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机构:
蔡芳共
;
杜豪睿
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机构:
西华大学
西华大学
杜豪睿
;
论文数:
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机构:
雷晓波
;
论文数:
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机构:
张勤勇
.
中国专利
:CN118922047A
,2024-11-08
[3]
热电器件的制备方法、热电器件
[P].
余中辉
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
余中辉
;
徐育钊
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
徐育钊
;
赵众乐
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
赵众乐
;
彭燕秋
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
彭燕秋
;
祝媛
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
祝媛
.
中国专利
:CN120769690A
,2025-10-10
[4]
热电器件电极及其制备方法和热电器件
[P].
刘福生
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刘福生
;
刘斌
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刘斌
;
李均钦
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李均钦
;
敖伟琴
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敖伟琴
;
张朝华
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张朝华
.
中国专利
:CN107665943A
,2018-02-06
[5]
一种热电器件及其制备方法
[P].
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机构:
刘玮书
;
吴新志
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
吴新志
;
韩志佳
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
韩志佳
;
论文数:
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机构:
朱康
;
论文数:
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机构:
张文清
.
中国专利
:CN116828955B
,2025-05-09
[6]
一种GeTe基热电器件接头、制备方法及热电器件
[P].
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机构:
张倩
;
程谨轩
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机构:
哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
程谨轩
;
论文数:
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机构:
曹峰
;
论文数:
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机构:
毛俊
.
中国专利
:CN117858603A
,2024-04-09
[7]
一种碲化铋基热电器件及其制备方法
[P].
柏胜强
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柏胜强
;
李菲
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李菲
;
吴汀
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吴汀
;
黄向阳
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黄向阳
;
陈立东
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0
陈立东
.
中国专利
:CN103413889A
,2013-11-27
[8]
热电器件及其制备方法
[P].
亨利·H·阿达姆松
论文数:
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亨利·H·阿达姆松
;
熊文娟
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熊文娟
;
王桂磊
论文数:
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王桂磊
.
中国专利
:CN110993780A
,2020-04-10
[9]
碲化铋基热电材料及其制备方法、热电器件
[P].
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机构:
李敬锋
;
王正沁
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机构:
清华大学
清华大学
王正沁
;
论文数:
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机构:
庄华鹭
;
论文数:
引用数:
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机构:
李和章
.
中国专利
:CN121021149A
,2025-11-28
[10]
一种微型热电器件、多层微型热电器件及其制备方法
[P].
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机构:
张昱
;
论文数:
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机构:
黄俊
;
李潮
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机构:
广东工业大学
广东工业大学
李潮
;
张上进
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机构:
广东工业大学
广东工业大学
张上进
;
谢伟良
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机构:
广东工业大学
广东工业大学
谢伟良
;
论文数:
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机构:
崔成强
.
中国专利
:CN121174914A
,2025-12-19
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