溅射靶材及溅射靶材的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380062783.3

申请日：

2023-08-09

公开(公告)号：

CN119731367A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

黑田稔显柴田宪治渡边和俊岩谷幸作

申请人：

住友化学株式会社株式会社丰岛制作所

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

C04B35/495 H10N30/076 H10N30/097 H10N30/853

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/34申请日:20230809
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

溅射靶材及该溅射靶材的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

中岛基 ;

马场晴之 .

中国专利 :CN109477206A ,2019-03-15

[2]

溅射靶材的制造方法及溅射靶材 [P].

萩原淳一郎 ;

东秀一 ;

神原正三 .

中国专利 :CN102753722B ,2014-09-03

[3]

溅射靶、溅射靶材及其制造方法 [P].

小岛丰 ;

松前和男 ;

葛城成吾 .

中国专利 :CN101360844A ,2009-02-04

[4]

溅射靶材及溅射靶材的主体 [P].

J·巴克菲勒 ;

R·埃勒 ;

J·瑞泽 ;

L·特伦 ;

G·奥福德 .

美国专利 :CN309057484S ,2025-01-07

[5]

溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 [P].

山崎舜平 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 ;

佐藤瞳 ;

渡边正宽 ;

增山光男 ;

冈崎健一 ;

中岛基 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN103290371B ,2013-09-11

[6]

溅射靶材、溅射靶、溅射靶用铝板及其制造方法 [P].

竹田博贵 ;

藤田昌宏 .

中国专利 :CN110709532B ,2020-01-17

[7]

溅射靶材 [P].

福岛英子 ;

上坂修治郎 ;

玉田悠 .

中国专利 :CN105385995A ,2016-03-09

[8]

溅射靶材 [P].

玉田悠 ;

齐藤和也 ;

上坂修治郎 ;

熊谷友正 .

中国专利 :CN106868459B ,2017-06-20

[9]

溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 [P].

山崎舜平 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 ;

佐藤瞳 ;

渡边正宽 ;

增山光男 ;

冈崎健一 ;

中岛基 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN107419225B ,2017-12-01

[10]

溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 [P].

山崎舜平 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 ;

佐藤瞳 ;

渡边正宽 ;

增山光男 ;

冈崎健一 ;

中岛基 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN103124805A ,2013-05-29

← 1 2 3 4 5 →