离子注入方法和离子注入装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510019018.4

申请日：

2025-01-06

公开(公告)号：

CN119864281A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

刘科马建坤曲佳佳段晋杰

申请人：

芯恩（青岛）集成电路有限公司

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

IPC主分类号：

H01L21/265

IPC分类号：

H01L21/67

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

刘畅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/265申请日:20250106
2025-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

离子注入方法和离子注入装置 [P].

浅井博文 ;

桥野义和 .

中国专利 :CN102629543A ,2012-08-08

[2]

离子注入方法和离子注入装置 [P].

中尾和浩 .

中国专利 :CN102222595A ,2011-10-19

[3]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

笠间泰彦 ;

表研次 ;

横尾邦义 .

中国专利 :CN1906324A ,2007-01-31

[4]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

越智秀太 ;

二宫史郎 ;

高桥裕二 ;

香川唯信 .

中国专利 :CN108695129B ,2018-10-23

[5]

离子注入装置、离子注入方法 [P].

辻康之 .

中国专利 :CN101983413B ,2011-03-02

[6]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

工藤哲也 ;

越智昭浩 .

中国专利 :CN102693903A ,2012-09-26

[7]

离子源、离子注入装置和离子注入方法 [P].

陈子强 ;

廖逸民 .

中国专利 :CN117995632B ,2025-05-09

[8]

离子源、离子注入装置和离子注入方法 [P].

陈子强 ;

廖逸民 .

中国专利 :CN117995632A ,2024-05-07

[9]

离子注入设备、离子注入装置 [P].

廖祥华 ;

贺金良 ;

余懍智 ;

杨树鑫 .

中国专利 :CN223552495U ,2025-11-14

[10]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

越智昭浩 ;

木村靖彦 ;

冈本泰治 ;

弓山敏男 .

中国专利 :CN102723252A ,2012-10-10

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