高可靠性发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510022475.9

申请日：

2025-01-07

公开(公告)号：

CN119836068A

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

张友志林智荣卢福星

申请人：

厦门普为光电科技有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市湖里区厦门火炬高新区(翔安)产业区内垵中路206号

IPC主分类号：

H10H20/831

IPC分类号：

代理机构：

厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235

代理人：

陈远洋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/831申请日:20250107
2025-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

高可靠性发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN111063780A ,2020-04-24

[2]

高可靠性发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN114388674A ,2022-04-22

[3]

高可靠性发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN114388683A ,2022-04-22

[4]

高可靠性发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

林亨镇 .

韩国专利 :CN114388674B ,2024-07-12

[5]

高可靠性发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN110073505A ,2019-07-30

[6]

高可靠性发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

林亨镇 .

韩国专利 :CN111063780B ,2024-04-02

[7]

高可靠性发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN113921687A ,2022-01-11

[8]

高可靠性发光二极管支架 [P].

程志坚 .

中国专利 :CN203721761U ,2014-07-16

[9]

高可靠性发光二极管结构及封装体 [P].

王锋 ;

陈晓冰 ;

闫晓密 ;

张秀敏 ;

杜高云 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN114497328A ,2022-05-13

[10]

高可靠性外延片及发光二极管 [P].

曾家明 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN217822840U ,2022-11-15

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