半导体结构及半导体结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411791506.9

申请日：

2024-12-06

公开(公告)号：

CN119812106A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

袁乐凡沈宇栎程含月马瑞丁超

申请人：

无锡芯卓湖光半导体有限公司

申请人地址：

214161 江苏省无锡市滨湖区胡埭工业园刘闾路29号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/311 H01L23/532 C09K13/00

代理机构：

北京布瑞知识产权代理有限公司 11505

代理人：

闫晓欣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	公开	公开
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20241206

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张强 .

中国专利 :CN113851584A ,2021-12-28

[2]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张强 .

中国专利 :CN113851584B ,2025-02-11

[3]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[4]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

卢浩然 ;

刘煜 ;

葛延栋 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14

[5]

半导体结构、半导体结构的制备方法及半导体器件 [P].

谷强 ;

郭宏瑞 ;

韩为鹏 ;

黄其伟 .

中国专利 :CN115050750B ,2025-02-25

[6]

半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P].

吴保润 ;

刘忠明 ;

杨孝东 .

中国专利 :CN118159023A ,2024-06-07

[7]

半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P].

刘洋浩 ;

徐朋辉 ;

尹国旭 ;

刘涛 ;

薛鹍 ;

王宁 .

中国专利 :CN121194461A ,2025-12-23

[8]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

葛延栋 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039568A ,2024-05-14

[9]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

褚衍邦 ;

卢浩然 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN119400751A ,2025-02-07

[10]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

张磊 ;

兰川 ;

黎明 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN120497252A ,2025-08-15

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