一种氮化镓射频功放管高温反偏老化保护电路

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202421600077.8
申请日
2024-07-05
公开(公告)号
CN222785968U
公开(公告)日
2025-04-22
发明(设计)人
王丙舟 孙义
申请人
广州联星科技有限公司
申请人地址
510530 广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号B10栋308房
IPC主分类号
H03F1/52
IPC分类号
H03F3/193 H03F3/21 G01R31/01 G01R31/27
代理机构
北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870
代理人
李蕊
法律状态
授权
国省代码
河北省 保定市
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共 50 条
[1]
一种固态功放管打火短路保护电路 [P]. 
王勇 ;
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张柏和 ;
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[2]
一种氮化镓功放高速调制兼负压保护电路 [P]. 
黄球军 ;
温忠昊 ;
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汪程军 ;
吴梓骏 .
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[3]
一种GaN功放管偏置保护电路 [P]. 
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桂振文 ;
郭建飞 ;
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中国专利 :CN107528553A ,2017-12-29
[4]
一种新型LDMOS功放管的宽带偏置匹配与保护电路 [P]. 
朴智棋 ;
宁曰民 ;
刘金现 ;
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[5]
一种带有射频功放保护电路的对讲机 [P]. 
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[6]
一种射频功放管的切断控制电路 [P]. 
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唐俊 ;
刘可昌 ;
楼光海 ;
胡振华 ;
李薇薇 ;
房华玲 ;
李晓光 .
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[7]
一种功放管电源调制供电保护电路 [P]. 
姜兆瑞 ;
王勇 ;
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[8]
一种氮化镓数字功放电路 [P]. 
杨通元 ;
何晋 ;
李云初 ;
刘世林 .
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[9]
一种用于内匹配功放管的偏置电路 [P]. 
刘双军 .
中国专利 :CN207251560U ,2018-04-17
[10]
一种基于裸芯片的GaN功放管偏置保护电路 [P]. 
刘璐璐 ;
裴庆斐 .
中国专利 :CN210431355U ,2020-04-28