一种氧化铬和碲化铬二维异质结及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411655103.1

申请日：

2024-11-19

公开(公告)号：

CN119753626A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

黎博易琛李球球段曦东

申请人：

长沙半导体技术与应用创新研究院

申请人地址：

410006 湖南省长沙市岳麓区湖大路中建智慧谷E13-1栋

IPC主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

C23C16/30

代理机构：

长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113

代理人：

郭立中;聂午阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/40申请日:20241119

共 50 条

[1]

一种氧化铬薄膜及其制备方法和应用 [P].

李伟 ;

李振民 ;

周洪雷 ;

徐志鑫 ;

陈朵朵 .

中国专利 :CN118581435A ,2024-09-03

[2]

一种二维二碲化钼垂直异质结及其制备方法和应用 [P].

甘霖 ;

李奥炬 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN111403475B ,2020-07-10

[3]

单晶石墨烯/二维碲化亚铜异质结SERS衬底及其制备方法和应用 [P].

陈珂 ;

王红芹 ;

黄明举 ;

常凯莉 .

中国专利 :CN116065126B ,2025-01-24

[4]

一种氧化铬基涂层及其制备方法和应用 [P].

黄继波 ;

施凯 ;

曾德长 ;

邱兆国 .

中国专利 :CN118272750A ,2024-07-02

[5]

一种二维共轭聚合物异质结及其制备方法和应用 [P].

董焕丽 ;

王永帅 ;

胡文平 .

中国专利 :CN113583218B ,2021-11-02

[6]

一种二硒化铬二维材料的制备和应用 [P].

段曦东 ;

段镶锋 ;

黎博 .

中国专利 :CN111206283B ,2020-05-29

[7]

一种氧化铬催化剂及其制备和应用 [P].

刘爽 ;

张豪杰 ;

王发根 ;

董亚梅 ;

王婷 ;

熊丹 ;

何丹农 .

中国专利 :CN103769077A ,2014-05-07

[8]

一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用 [P].

陆健婷 ;

郑照强 .

中国专利 :CN110473925A ,2019-11-19

[9]

一种氧化铬及其制备方法 [P].

徐红彬 ;

史建斌 ;

王劲松 ;

张红玲 ;

史海琴 ;

梅海军 ;

刘宏辉 ;

杨海 ;

王爱山 ;

雒敏婷 .

中国专利 :CN109368697A ,2019-02-22

[10]

一种氧化铬及其制备方法 [P].

徐红彬 ;

史建斌 ;

王劲松 ;

张红玲 ;

史海琴 ;

梅海军 ;

刘宏辉 ;

杨海 ;

王爱山 ;

雒敏婷 .

中国专利 :CN109354068B ,2019-02-19

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