一种分段氧辅助制备二硫化钼薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411896761.X

申请日：

2024-12-23

公开(公告)号：

CN119710618A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

李萍剑宋鑫李雪松

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号集成电路科学与工程学院

IPC主分类号：

C23C16/02

IPC分类号：

C23C16/30 C23C16/52

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[2]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[3]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28

[4]

一种制备厘米级多相二硫化钼薄膜的方法 [P].

周宇 ;

李猛 ;

李萍剑 .

中国专利 :CN114737164A ,2022-07-12

[5]

一种层数均匀且高质量二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

张志勇 ;

李展 ;

许曼章 ;

赵武 ;

闫军锋 ;

王英楠 ;

贠江妮 ;

翟春雪 ;

王雪文 ;

马驰 ;

吴民财 ;

邓鹏 ;

张艺凡 .

中国专利 :CN108286042A ,2018-07-17

[6]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[7]

一种利用化学气相沉积法制备二硫化钼薄膜的方法 [P].

陆桥宏 ;

何东旺 ;

薛燕 .

中国专利 :CN114231945A ,2022-03-25

[8]

一种钝化二硫化钼薄膜中硫空位缺陷的方法 [P].

李萍剑 ;

王凯旋 ;

李雪松 .

中国专利 :CN119710619A ,2025-03-28

[9]

一种单层二硫化钼的制备方法 [P].

何大伟 ;

董艳芳 ;

何家琪 ;

赵思淇 ;

王永生 .

中国专利 :CN106835073A ,2017-06-13

[10]

一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法 [P].

王珊珊 ;

李守恒 ;

徐淘 ;

江天 ;

程海峰 .

中国专利 :CN111893565B ,2020-11-06

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