基于氮化镓-氧化镓异质结的紫外光突触器件及制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411804737.9
申请日
2024-12-10
公开(公告)号
CN119317199B
公开(公告)日
2025-04-08
发明(设计)人
杨晓琴 鲁佳文 罗炳成 顾泓 肖安康 权佩雯 谢良帅
申请人
苏州实验室
申请人地址
215125 江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号
IPC主分类号
H10F30/21
IPC分类号
H10F77/12 H10F71/00 G06N3/065 G06N3/067 G06N3/0442 G06N3/049
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
巩克栋
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
基于氮化镓-氧化镓异质结的紫外光突触器件及制备方法 [P]. 
杨晓琴 ;
鲁佳文 ;
罗炳成 ;
顾泓 ;
肖安康 ;
权佩雯 ;
谢良帅 .
中国专利 :CN119317199A ,2025-01-14
[2]
一种氮化镓紫外光突触器件及其制备方法 [P]. 
杨晓琴 ;
鲁佳文 ;
赵鲁昱 ;
罗炳成 ;
顾泓 .
中国专利 :CN117766603A ,2024-03-26
[3]
一种氧化镓紫外光突触器件及其制备方法 [P]. 
杨晓琴 ;
鲁佳文 ;
罗炳成 ;
顾泓 ;
肖安康 ;
林志宇 ;
权佩雯 ;
谢良帅 .
中国专利 :CN120475810A ,2025-08-12
[4]
氧化镓氮化镓异质结栅的氮化镓HEMT器件及制备方法 [P]. 
宋庆文 ;
张泽雨林 ;
张春福 ;
汤晓燕 ;
张玉明 ;
袁昊 .
中国专利 :CN115458595A ,2022-12-09
[5]
氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法 [P]. 
施政 ;
高翔 ;
高绪敏 .
中国专利 :CN118352425B ,2024-09-20
[6]
氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法 [P]. 
施政 ;
高翔 ;
高绪敏 .
中国专利 :CN118352425A ,2024-07-16
[7]
基于氮化镓/铝镓氮/氮化镓异质结的温度传感器及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
孙宇涵 ;
蒋玉龙 .
中国专利 :CN120970836A ,2025-11-18
[8]
基于氧化镓与氮化镓的自供电紫外光电探测器及制备方法 [P]. 
齐红基 ;
陈端阳 ;
杨珍妮 ;
包森川 .
中国专利 :CN117976765A ,2024-05-03
[9]
基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法 [P]. 
张晓东 ;
马永健 ;
何涛 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN113823707A ,2021-12-21
[10]
一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用 [P]. 
贾伟 ;
任恒磊 ;
贾凯达 ;
翟光美 ;
董海亮 ;
许并社 .
中国专利 :CN117457497A ,2024-01-26