一种硅碳负极浆料及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411993492.9
申请日
2024-12-31
公开(公告)号
CN119786538A
公开(公告)日
2025-04-08
发明(设计)人
谷佳禧 简乐 谢新泰 黄顺仪 杨文 郭建伟
申请人
广东国光电子有限公司 国光电子(江西)有限公司
申请人地址
510000 广东省广州市花都区新雅街镜湖大道8号
IPC主分类号
H01M4/1393
IPC分类号
H01M4/1395 H01M4/133 H01M4/134 H01M4/36 H01M4/38 H01M4/62 H01M10/0525
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
宫美玲
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 广州市
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共 50 条
[1]
一种硅碳负极浆料及其制备方法和应用 [P]. 
谷佳禧 ;
简乐 ;
谢新泰 ;
黄顺仪 ;
杨文 ;
郭建伟 .
中国专利 :CN119786538B ,2025-10-21
[2]
一种硅碳负极浆料及其制备方法和应用 [P]. 
朱清宇 ;
陈俊涛 ;
杨文 ;
郭建伟 .
中国专利 :CN119786609A ,2025-04-08
[3]
一种硅碳负极浆料及其制备方法和应用 [P]. 
王倩 ;
张浩 ;
张磊 .
中国专利 :CN115954458B ,2025-11-04
[4]
一种硅碳负极浆料及其制备方法 [P]. 
张章明 ;
龚金保 ;
黄明 .
中国专利 :CN109546127A ,2019-03-29
[5]
一种硅碳复合负极浆料及其制备方法 [P]. 
米海彬 ;
马正光 .
中国专利 :CN121149195A ,2025-12-16
[6]
一种硅碳负极浆料及其制备方法 [P]. 
关成善 ;
宗继月 ;
张敬捧 ;
王勇 ;
李涛 .
中国专利 :CN105406039A ,2016-03-16
[7]
负极浆料及其制备方法和应用 [P]. 
李宗达 ;
吉星 .
中国专利 :CN112201766A ,2021-01-08
[8]
负极浆料及其制备方法和应用 [P]. 
刘冯新 ;
庞丽宁 ;
李奎 ;
柴成斌 ;
张金涛 .
中国专利 :CN110071288B ,2019-07-30
[9]
负极浆料及其制备方法和应用 [P]. 
何里烈 ;
吕豪杰 .
中国专利 :CN110190283A ,2019-08-30
[10]
一种硅碳负极及其制备方法 [P]. 
范欢欢 ;
娄忠良 .
中国专利 :CN110148751B ,2019-08-20