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光学接近度传感器系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202080011805.X
申请日
:
2020-01-30
公开(公告)号
:
CN113424448B
公开(公告)日
:
2025-03-28
发明(设计)人
:
刘建
K.施密德格
W.赫尔南德斯
H.泰勒
J.克里伯内格
G.R.凯利
M.克罗斯
申请人
:
ams国际有限公司
申请人地址
:
瑞士约纳
IPC主分类号
:
H03K17/94
IPC分类号
:
H03K17/945
G06F3/042
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
邓亚楠
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-28
授权
授权
共 50 条
[1]
光学接近度传感器系统
[P].
刘建
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刘建
;
K.施密德格
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K.施密德格
;
W.赫尔南德斯
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W.赫尔南德斯
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H.泰勒
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H.泰勒
;
J.克里伯内格
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J.克里伯内格
;
G.R.凯利
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G.R.凯利
;
M.克罗斯
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M.克罗斯
.
中国专利
:CN113424448A
,2021-09-21
[2]
光学接近传感器
[P].
维瑞什·巴布·武利加达拉
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机构:
AMS国际有限公司
AMS国际有限公司
维瑞什·巴布·武利加达拉
;
瓦桑特·亚达吉里
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AMS国际有限公司
AMS国际有限公司
瓦桑特·亚达吉里
;
高里·克里希纳·坎特·阿瓦鲁尔
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机构:
AMS国际有限公司
AMS国际有限公司
高里·克里希纳·坎特·阿瓦鲁尔
;
路易斯·阿尔贝特·威廉姆斯三世
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机构:
AMS国际有限公司
AMS国际有限公司
路易斯·阿尔贝特·威廉姆斯三世
.
:CN120129841A
,2025-06-10
[3]
光学接近度传感器
[P].
靳永钢
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靳永钢
.
中国专利
:CN205091459U
,2016-03-16
[4]
晶片级接近度传感器
[P].
D·加尼
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D·加尼
.
中国专利
:CN107275321A
,2017-10-20
[5]
光学接近传感器封装
[P].
詹姆斯·卡斯特罗
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詹姆斯·卡斯特罗
;
兰尼·萨拉万南
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兰尼·萨拉万南
;
谭维新
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谭维新
.
中国专利
:CN101936752B
,2011-01-05
[6]
接近度传感器装置和系统
[P].
H·A·希瑞斯托夫
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H·A·希瑞斯托夫
;
D·韦斯特拉肯
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D·韦斯特拉肯
;
R·M·佩耶夫
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R·M·佩耶夫
;
K·伊凡诺夫
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K·伊凡诺夫
;
K·D·鲍伯切夫
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K·D·鲍伯切夫
.
中国专利
:CN114124065A
,2022-03-01
[7]
光学接近传感器
[P].
斯特凡·霍姆格伦
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斯特凡·霍姆格伦
;
赛拉姆·伊耶
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赛拉姆·伊耶
;
理查德·贝里林德
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理查德·贝里林德
;
卡尔·埃里克·帕特里克·努德斯特伦
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卡尔·埃里克·帕特里克·努德斯特伦
;
拉尔斯·斯帕尔夫
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拉尔斯·斯帕尔夫
;
佩尔·罗森格伦
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佩尔·罗森格伦
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埃里克·罗森格伦
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埃里克·罗森格伦
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约翰·卡尔松
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约翰·卡尔松
;
托马斯·埃里克松
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托马斯·埃里克松
;
亚历山大·尤布纳
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亚历山大·尤布纳
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雷莫·贝达什特
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雷莫·贝达什特
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西蒙·费林
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西蒙·费林
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罗宾·谢尔·阿曼
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罗宾·谢尔·阿曼
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约瑟夫·沙因
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约瑟夫·沙因
.
中国专利
:CN105324741A
,2016-02-10
[8]
光学接近传感器和接近传感器
[P].
D·N·圣菲利波
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D·N·圣菲利波
.
中国专利
:CN212905460U
,2021-04-06
[9]
接近光传感器
[P].
陈奇
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机构:
武汉市聚芯微电子有限责任公司
武汉市聚芯微电子有限责任公司
陈奇
;
施怡鹏
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机构:
武汉市聚芯微电子有限责任公司
武汉市聚芯微电子有限责任公司
施怡鹏
.
中国专利
:CN223402775U
,2025-09-30
[10]
双模接近传感器
[P].
J·F·小布里特
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J·F·小布里特
.
中国专利
:CN103999452A
,2014-08-20
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