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一种功率器件的制备方法及功率器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411921034.4
申请日：
2024-12-25
公开(公告)号：
CN119730284A
公开(公告)日：
2025-03-28
发明(设计)人：
高学 柴展 罗杰馨
申请人：
上海功成半导体科技有限公司
申请人地址：
201800 上海市嘉定区兴文路1277号5幢1层、2层
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/63 H10D64/23
代理机构：
上海欣创专利商标事务所(普通合伙) 31217
代理人：
包宇霆
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241225
2025-03-28 公开 公开
共 50 条
[1]
一种功率器件的制备方法及功率器件 [P]. 
高学 ;
柴展 ;
罗杰馨 .
中国专利 :CN119730285A ,2025-03-28
[2]
一种功率器件制备方法和功率器件 [P]. 
卓宁泽 ;
傅玥 ;
孔令涛 .
中国专利 :CN120343965A ,2025-07-18
[3]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件 [P]. 
高学 ;
柴展 ;
罗杰馨 .
中国专利 :CN119677124A ,2025-03-21
[4]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件 [P]. 
高学 ;
柴展 ;
罗杰馨 .
中国专利 :CN119403159A ,2025-02-07
[5]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件 [P]. 
高学 ;
柴展 ;
罗杰馨 .
中国专利 :CN119403159B ,2025-04-29
[6]
一种新型功率器件的制备方法及功率器件 [P]. 
高学 ;
柴展 ;
罗杰馨 .
中国专利 :CN119403157A ,2025-02-07
[7]
功率器件的制备方法及功率器件 [P]. 
邱海亮 ;
闻正锋 ;
马万里 ;
赵文魁 .
中国专利 :CN106298744B ,2017-01-04
[8]
功率器件的制备方法及功率器件 [P]. 
赵圣哲 .
中国专利 :CN106328533A ,2017-01-11
[9]
制备功率器件的方法及功率器件 [P]. 
段向阳 ;
凌庆泽 .
中国专利 :CN120264800A ,2025-07-04
[10]
一种IGBT功率器件制备方法和IGBT功率器件 [P]. 
卓宁泽 ;
傅玥 ;
孔令涛 .
中国专利 :CN120614839A ,2025-09-09
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