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一种高阶曲率补偿带隙基准电路
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510066598.2
申请日
:
2025-01-16
公开(公告)号
:
CN119828840A
公开(公告)日
:
2025-04-15
发明(设计)人
:
尹波
董震
申请人
:
重庆邮电大学
申请人地址
:
400065 重庆市南岸区崇文路2号
IPC主分类号
:
G05F1/567
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
山东省 青岛市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-15
公开
公开
2025-10-21
授权
授权
2025-05-02
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/567申请日:20250116
共 50 条
[1]
一种高阶曲率补偿带隙基准电路
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
尹波
;
董震
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
重庆邮电大学
重庆邮电大学
董震
.
中国专利
:CN119828840B
,2025-10-21
[2]
一种高阶曲率补偿的带隙基准电压电路
[P].
吴建辉
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0
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0
吴建辉
;
徐川
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徐川
;
胡建飞
论文数:
0
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0
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0
胡建飞
;
张理振
论文数:
0
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0
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张理振
;
李红
论文数:
0
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0
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0
李红
;
田茜
论文数:
0
引用数:
0
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0
田茜
.
中国专利
:CN102981545A
,2013-03-20
[3]
曲率补偿带隙基准电路
[P].
冉雄飞
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
圣邦微电子(北京)股份有限公司
圣邦微电子(北京)股份有限公司
冉雄飞
;
满雪成
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0
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0
机构:
圣邦微电子(北京)股份有限公司
圣邦微电子(北京)股份有限公司
满雪成
.
中国专利
:CN118605679A
,2024-09-06
[4]
一种分段补偿的高阶曲率补偿带隙基准电路
[P].
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机构:
杨成韬
;
雷奕
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机构:
电子科技大学
电子科技大学
雷奕
;
许美琪
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0
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0
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机构:
电子科技大学
电子科技大学
许美琪
;
论文数:
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机构:
张越
;
蒲一帆
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机构:
电子科技大学
电子科技大学
蒲一帆
.
中国专利
:CN118113105A
,2024-05-31
[5]
一种曲率补偿带隙基准电路
[P].
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引用数:
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机构:
李迪
;
霍昌建
论文数:
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
霍昌建
;
康嵘哲
论文数:
0
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
康嵘哲
;
王一非
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0
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0
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
王一非
;
论文数:
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机构:
谌东东
.
中国专利
:CN115840486B
,2024-09-20
[6]
一种高阶曲率补偿的带隙基准电路
[P].
论文数:
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机构:
王志亮
;
徐天浩
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0
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0
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机构:
南通大学
南通大学
徐天浩
;
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机构:
孙力
;
张智超
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0
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0
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0
机构:
南通大学
南通大学
张智超
.
中国专利
:CN221960450U
,2024-11-05
[7]
一种高阶曲率补偿的带隙基准电路
[P].
宋宇
论文数:
0
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0
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0
宋宇
;
陈立新
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0
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陈立新
;
熊海峰
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熊海峰
.
中国专利
:CN114995571A
,2022-09-02
[8]
一种高阶曲率补偿的带隙基准电路
[P].
宋宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海泰矽微电子有限公司
上海泰矽微电子有限公司
宋宇
;
陈立新
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机构:
上海泰矽微电子有限公司
上海泰矽微电子有限公司
陈立新
;
熊海峰
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引用数:
0
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0
机构:
上海泰矽微电子有限公司
上海泰矽微电子有限公司
熊海峰
.
中国专利
:CN114995571B
,2024-03-08
[9]
一种高阶温度补偿的带隙基准电路
[P].
周前能
论文数:
0
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0
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0
周前能
;
彭志强
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0
彭志强
;
李红娟
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0
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李红娟
;
范霆铠
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范霆铠
;
郭涛
论文数:
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郭涛
.
中国专利
:CN109254612B
,2019-01-22
[10]
一种基于高阶曲率补偿的带隙基准电路
[P].
陈小杰
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0
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0
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机构:
华东光电集成器件研究所
华东光电集成器件研究所
陈小杰
;
龙善丽
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0
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机构:
华东光电集成器件研究所
华东光电集成器件研究所
龙善丽
;
童紫平
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机构:
华东光电集成器件研究所
华东光电集成器件研究所
童紫平
;
屈睿峥
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机构:
华东光电集成器件研究所
华东光电集成器件研究所
屈睿峥
;
吴传奇
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机构:
华东光电集成器件研究所
华东光电集成器件研究所
吴传奇
;
王露露
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机构:
华东光电集成器件研究所
华东光电集成器件研究所
王露露
;
周健
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机构:
华东光电集成器件研究所
华东光电集成器件研究所
周健
.
中国专利
:CN117555386A
,2024-02-13
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