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碳化硅陶瓷的制备方法和碳化硅陶瓷
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411909419.9
申请日
:
2024-12-24
公开(公告)号
:
CN119707497A
公开(公告)日
:
2025-03-28
发明(设计)人
:
刘乙男
崔本仓
方宏
林润港
曹民
申请人
:
索罗曼(常州)合金新材料有限公司
广州众山精密科技有限公司
申请人地址
:
213212 江苏省常州市金坛区中兴路86号
IPC主分类号
:
C04B35/565
IPC分类号
:
C04B35/80
C04B35/634
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
富丽娟
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-15
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/565申请日:20241224
2025-03-28
公开
公开
共 50 条
[1]
一种碳化硅陶瓷的连接方法、碳化硅陶瓷连接头和碳化硅陶瓷
[P].
李涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
李涛
;
尧巍华
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尧巍华
.
中国专利
:CN114315402A
,2022-04-12
[2]
碳化硅陶瓷的制备方法
[P].
郭兴忠
论文数:
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郭兴忠
;
杨辉
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杨辉
;
胡常炳
论文数:
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胡常炳
;
张玲洁
论文数:
0
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张玲洁
;
郑志荣
论文数:
0
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郑志荣
;
高黎华
论文数:
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高黎华
.
中国专利
:CN102030534A
,2011-04-27
[3]
碳化硅陶瓷连接方法
[P].
闫永杰
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闫永杰
;
黄政仁
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黄政仁
;
刘学建
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刘学建
;
陈忠明
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0
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陈忠明
.
中国专利
:CN103964884A
,2014-08-06
[4]
多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
[P].
刘国彬
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刘国彬
.
中国专利
:CN112759400B
,2021-05-07
[5]
一种氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
[P].
张海军
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张海军
;
韩磊
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韩磊
;
董龙浩
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董龙浩
;
张少伟
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张少伟
.
中国专利
:CN108558438A
,2018-09-21
[6]
一种碳化硅生产废料制备碳化硅陶瓷的方法及碳化硅陶瓷
[P].
刘欣宇
论文数:
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机构:
江苏超芯星半导体有限公司
江苏超芯星半导体有限公司
刘欣宇
;
袁振洲
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机构:
江苏超芯星半导体有限公司
江苏超芯星半导体有限公司
袁振洲
.
中国专利
:CN118930275A
,2024-11-12
[7]
碳化硅组合物、碳化硅陶瓷及其制备方法
[P].
贺鹏博
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机构:
苏州铠欣半导体科技有限公司
苏州铠欣半导体科技有限公司
贺鹏博
;
李亚林
论文数:
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0
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机构:
苏州铠欣半导体科技有限公司
苏州铠欣半导体科技有限公司
李亚林
.
中国专利
:CN119874396A
,2025-04-25
[8]
利用碳化硅固体废料制备碳化硅陶瓷的方法
[P].
杨水清
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0
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0
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杨水清
;
林军
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0
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0
林军
.
中国专利
:CN103086721A
,2013-05-08
[9]
碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷的制备方法
[P].
高万源
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机构:
内蒙古利博耐火材料科技有限公司
内蒙古利博耐火材料科技有限公司
高万源
.
中国专利
:CN120229963A
,2025-07-01
[10]
多孔碳化硅陶瓷及其制备方法
[P].
李秋惠
论文数:
0
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0
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0
李秋惠
.
中国专利
:CN111635246A
,2020-09-08
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