含有1价碱金属离子的中空硅溶胶和其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480004044.3

申请日：

2024-07-26

公开(公告)号：

CN119894824A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

江原和也中田豪西村透下吉真实

申请人：

日产化学株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C01B33/12

IPC分类号：

C01B33/145 C08K3/36 C08L83/04 C08L101/00

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

李照明;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/12申请日:20240726

共 50 条

[1]

硅溶胶的制造方法以及硅溶胶 [P].

西田广泰 ;

若宫义宪 ;

小松通郎 .

中国专利 :CN1506306A ,2004-06-23

[2]

具有粒度分布的硅溶胶和其制造方法 [P].

荒木惠 ;

末村尚彦 ;

中田豪 ;

大西耀 ;

杉泽雅敏 ;

刘佳昊 .

日本专利 :CN117177941B ,2024-07-19

[3]

被纯化了的碱金属硅酸盐水溶液和硅溶胶的制造方法 [P].

江间希代巳 ;

高熊纪之 ;

西村透 ;

河下直纪 ;

山口浩司 .

中国专利 :CN103764563A ,2014-04-30

[4]

碱金属离子传导体、碱金属离子电池和碱金属离子传导体的制造方法 [P].

南圭一 .

日本专利 :CN119072811A ,2024-12-03

[5]

被纯化了的碱金属硅酸盐水溶液和硅溶胶的制造方法 [P].

江间希代巳 ;

高熊纪之 ;

西村透 ;

河下直纪 ;

山口浩司 .

中国专利 :CN105731477B ,2016-07-06

[6]

具有细长的粒子形状的硅溶胶的制造方法 [P].

村上智 ;

福冈拓也 ;

黑岩和也 .

日本专利 :CN111788154B ,2024-03-29

[7]

具有细长的粒子形状的硅溶胶的制造方法 [P].

村上智 ;

福冈拓也 ;

黑岩和也 .

中国专利 :CN111788154A ,2020-10-16

[8]

具有细长的粒子形状的硅溶胶的制造方法 [P].

村上智 ;

福冈拓也 ;

黑岩和也 .

中国专利 :CN111788153A ,2020-10-16

[9]

硅溶胶的制造方法及制得的硅溶胶 [P].

许念强 ;

顾建祥 ;

罗康 ;

郑松保 .

中国专利 :CN1830777A ,2006-09-13

[10]

含有胺的中空二氧化硅粒子的有机溶剂溶胶及其制造方法 [P].

西村透 ;

山田修平 ;

飞田将大 .

日本专利 :CN119968338A ,2025-05-09

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