薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311378090.3

申请日：

2023-10-23

公开(公告)号：

CN119894053A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

李俊杰杨超然许高博周娜张琛琛高建峰杨涛李俊峰罗军陈睿

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100020 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/27

代理机构：

北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448

代理人：

刘影

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法 [P].

张世玉 ;

牛海军 ;

祝明 ;

崔贤植 ;

石戈 ;

方正 ;

田允允 .

中国专利 :CN107527956A ,2017-12-29

[2]

薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法 [P].

梅田贤一 ;

铃木真之 ;

田中淳 ;

奈良裕树 .

中国专利 :CN101931009B ,2010-12-29

[3]

薄膜晶体管和制备方法 [P].

李俊杰 ;

许高博 ;

周娜 ;

张琛琛 ;

高建峰 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

罗军 ;

陈睿 .

中国专利 :CN117542897A ,2024-02-09

[4]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法 [P].

石龙强 ;

曾志远 ;

李文辉 ;

苏智昱 ;

吕晓文 .

中国专利 :CN104576756B ,2015-04-29

[5]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法 [P].

石龙强 ;

曾志远 ;

李文辉 ;

苏智昱 ;

吕晓文 .

中国专利 :CN104576754B ,2015-04-29

[6]

薄膜晶体管基底和用于薄膜晶体管基底的薄膜晶体管 [P].

是成贵弘 ;

田边浩 .

中国专利 :CN101989619A ,2011-03-23

[7]

薄膜晶体管基底和用于薄膜晶体管基底的薄膜晶体管 [P].

是成贵弘 ;

田边浩 .

中国专利 :CN104409517A ,2015-03-11

[8]

薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法 [P].

张合静 ;

刘振 ;

杨帆 ;

许哲豪 ;

李荣荣 .

中国专利 :CN114883343B ,2024-03-26

[9]

薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法 [P].

张合静 ;

刘振 ;

杨帆 ;

许哲豪 ;

李荣荣 .

中国专利 :CN114883343A ,2022-08-09

[10]

薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示设备 [P].

张宰满 ;

高永贤 ;

崔义贤 ;

郑进元 ;

柳智煕 .

韩国专利 :CN120187074A ,2025-06-20

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