半导体晶片、半导体装置、功率转换装置及冷却系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280100763.6

申请日：

2022-10-11

公开(公告)号：

CN119998925A

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

阿多保夫谷昌和远井茂男

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21/301

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

胡秋瑾;宋俊寅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/301申请日:20221011
2025-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体晶片 [P].

古田建一 ;

辻本雅夫 ;

寺田信广 ;

原口正博 ;

井上刚 ;

金子裕一 ;

黑木弘树 ;

古平贵章 .

中国专利 :CN114497176A ,2022-05-13

[2]

半导体装置及电力转换装置 [P].

古川智康 ;

川濑大助 .

中国专利 :CN113725279A ,2021-11-30

[3]

半导体装置及电力转换装置 [P].

古川智康 ;

川濑大助 .

日本专利 :CN113725279B ,2025-06-27

[4]

半导体晶片及半导体装置 [P].

大野天颂 ;

堂前佑辅 .

中国专利 :CN110838515A ,2020-02-25

[5]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

日本专利 :CN111954926B ,2024-04-30

[6]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

中国专利 :CN111954926A ,2020-11-17

[7]

半导体芯片、半导体晶片及半导体装置及其制造方法 [P].

原一巳 .

中国专利 :CN1518105A ,2004-08-04

[8]

半导体装置及具备该半导体装置的功率转换装置 [P].

梶原孝信 ;

大前胜彦 ;

长尾崇志 ;

船越政行 ;

江见哲央 ;

藤田充纪 ;

冈部有纪 .

中国专利 :CN111095537A ,2020-05-01

[9]

半导体装置及具备该半导体装置的功率转换装置 [P].

梶原孝信 ;

大前胜彦 ;

长尾崇志 ;

船越政行 ;

江见哲央 ;

藤田充纪 ;

冈部有纪 .

日本专利 :CN111095537B ,2024-03-29

[10]

半导体晶片及半导体装置 [P].

楠木淳也 ;

平野孝 .

中国专利 :CN101044617A ,2007-09-26

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