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声表面波器件的制备方法、声表面波器件及射频前端模组

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411917161.7
申请日：
2024-12-24
公开(公告)号：
CN119945358A
公开(公告)日：
2025-05-06
发明(设计)人：
补强 蒋欣 曹家强 强欢 李来洋 曾雲东 马志鹏 倪建兴
申请人：
锐石创芯（重庆）微电子有限公司
申请人地址：
400700 重庆市北碚区云汉大道117号附450号
IPC主分类号：
H03H3/08
IPC分类号：
H03H9/02 H03H9/145 H03H9/25 H03H9/64
代理机构：
深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙) 44507
代理人：
赵颖
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-06 公开 公开
2025-05-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H03H 3/08申请日:20241224
共 50 条
[1]
声表面波器件、射频前端模组及声表面波器件的制造方法 [P]. 
张正义 ;
蒋欣 ;
曾雲东 ;
沈旭铭 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN118659758A ,2024-09-17
[2]
声表面波器件及射频前端模组 [P]. 
李天年 ;
杜波 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN223502842U ,2025-10-31
[3]
声表面波器件及射频前端模组 [P]. 
刘旻俊 ;
杜波 ;
李阳 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN119420312A ,2025-02-11
[4]
声表面波器件及射频前端模组 [P]. 
冯玉霖 ;
刘湉隽 ;
杜波 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN223246558U ,2025-08-19
[5]
声表面波器件及其制备方法、射频前端模组 [P]. 
武谋能 ;
喻军 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN118611618A ,2024-09-06
[6]
声表面波器件及射频前端模组 [P]. 
李阳 ;
杜波 ;
刘旻俊 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN119602738B ,2025-12-05
[7]
声表面波器件及射频前端模组 [P]. 
李阳 ;
杜波 ;
刘旻俊 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN119602738A ,2025-03-11
[8]
声表面波器件和射频前端模组 [P]. 
黄浈 ;
史海涛 ;
杜波 ;
徐杰 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN118573142A ,2024-08-30
[9]
声表面波器件、滤波器和射频前端模组 [P]. 
刘旻俊 ;
杜波 ;
李阳 ;
王华磊 ;
倪建兴 .
中国专利 :CN119727661A ,2025-03-28
[10]
声表面波器件 [P]. 
松冈直人 ;
中村麻树子 ;
吉元进 .
日本专利 :CN111200415B ,2024-05-10
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