生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法及Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411365933.0

申请日：

2024-09-29

公开(公告)号：

CN118854448B

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

张运炎褚衍盟程志渊

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

C30B25/16

IPC分类号：

C30B29/42 C30B29/40 C30B29/62 B82Y30/00 B82Y40/00 C30B7/10

代理机构：

杭州君锐达知识产权代理有限公司 33544

代理人：

应孔月

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/16申请日:20240929
2024-10-29	公开	公开
2025-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法及Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线 [P].

张运炎 ;

褚衍盟 ;

程志渊 .

中国专利 :CN118854448A ,2024-10-29

[2]

纳米线的生长 [P].

奥拉夫·伯莱姆 ;

F·达辛格 ;

S·奎德努 ;

F·鲁斯塔 .

德国专利 :CN117980542A ,2024-05-03

[3]

Ⅲ族-N纳米线晶体管 [P].

H·W·田 ;

R·周 ;

B·舒-金 ;

G·杜威 ;

J·卡瓦列罗斯 ;

M·V·梅茨 ;

N·慕克吉 ;

R·皮拉里塞泰 ;

M·拉多萨夫列维奇 .

中国专利 :CN104011868A ,2014-08-27

[4]

Ⅲ族-N纳米线晶体管 [P].

H·W·田 ;

R·周 ;

B·舒-金 ;

G·杜威 ;

J·卡瓦列罗斯 ;

M·V·梅茨 ;

N·慕克吉 ;

R·皮拉里塞泰 ;

M·拉多萨夫列维奇 .

中国专利 :CN106887453B ,2017-06-23

[5]

纳米线的电镀生长 [P].

奥拉夫·伯莱姆 ;

F·达辛格 ;

S·奎德努 ;

F·鲁斯塔 .

中国专利 :CN115698387A ,2023-02-03

[6]

纳米线、纳米线的生产方法和该纳米线的应用 [P].

吉沢久江 ;

岸健太郎 ;

堀内一永 ;

清水正昭 .

中国专利 :CN1406865A ,2003-04-02

[7]

生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用 [P].

许金友 ;

陈湘涛 ;

王皓 ;

周国富 .

中国专利 :CN117123447B ,2025-07-04

[8]

贵金属及过渡族金属纳米线及纳米网状材料的制备方法 [P].

刘雄军 ;

王晶 ;

吕昭平 ;

李睿 ;

王辉 ;

吴渊 .

中国专利 :CN107326209A ,2017-11-07

[9]

纳米线、纳米线的生产方法及电子装置 [P].

李银京 ;

崔秉龙 ;

朴京洙 ;

韩在熔 .

中国专利 :CN101643196B ,2010-02-10

[10]

纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列 [P].

程春 ;

石润 ;

刘世源 ;

陈鹏程 ;

欧阳文开 ;

陈宏 ;

张亮 .

中国专利 :CN107112234A ,2017-08-29

← 1 2 3 4 5 →