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一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510620715.5
申请日
:
2025-05-14
公开(公告)号
:
CN120129272A
公开(公告)日
:
2025-06-10
发明(设计)人
:
吴义针
汪连山
麻胜恒
孙文红
陈福鑫
申请人
:
中科(深圳)无线半导体有限公司
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区南头街道马家龙社区南山大道3838号工业村金栋309
IPC主分类号
:
H10D30/47
IPC分类号
:
H10D30/01
H10D62/17
B82Y30/00
B82Y40/00
代理机构
:
北京国审领航知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 16157
代理人
:
唐开强
法律状态
:
授权
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-12
授权
授权
2025-06-10
公开
公开
2025-06-27
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250514
共 50 条
[1]
一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法
[P].
吴义针
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
吴义针
;
汪连山
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
汪连山
;
麻胜恒
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
麻胜恒
;
孙文红
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
孙文红
;
陈福鑫
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
陈福鑫
.
中国专利
:CN120129272B
,2025-09-12
[2]
一种氮化镓异质结材料及其外延生长方法
[P].
彭大青
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
彭大青
;
李忠辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
李忠辉
;
李传皓
论文数:
0
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0
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0
机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
李传皓
;
杨乾坤
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
杨乾坤
.
中国专利
:CN117712159A
,2024-03-15
[3]
一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法
[P].
李利哲
论文数:
0
引用数:
0
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0
李利哲
;
王国斌
论文数:
0
引用数:
0
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0
王国斌
.
中国专利
:CN113818087A
,2021-12-21
[4]
一种LED外延片及其外延生长方法
[P].
吴雪花
论文数:
0
引用数:
0
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0
吴雪花
;
杨天鹏
论文数:
0
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0
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0
杨天鹏
;
郭文平
论文数:
0
引用数:
0
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0
郭文平
;
陈向东
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈向东
;
肖志国
论文数:
0
引用数:
0
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0
肖志国
.
中国专利
:CN102044606A
,2011-05-04
[5]
一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
[P].
王怀兵
论文数:
0
引用数:
0
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0
王怀兵
;
田洪涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
田洪涛
;
何清华
论文数:
0
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0
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0
何清华
;
熊建明
论文数:
0
引用数:
0
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0
熊建明
.
中国专利
:CN2685356Y
,2005-03-16
[6]
基于大斜切角蓝宝石衬底外延生长氮化镓的方法及其应用
[P].
江灵荣
论文数:
0
引用数:
0
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0
江灵荣
;
刘建平
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘建平
;
田爱琴
论文数:
0
引用数:
0
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0
田爱琴
;
杨辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨辉
.
中国专利
:CN108511323A
,2018-09-07
[7]
氮化镓层及其同质外延生长方法
[P].
罗晓菊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
罗晓菊
;
王颖慧
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
王颖慧
;
特洛伊·乔纳森·贝克
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
特洛伊·乔纳森·贝克
.
中国专利
:CN112820633B
,2024-01-16
[8]
氮化镓层及其同质外延生长方法
[P].
罗晓菊
论文数:
0
引用数:
0
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0
罗晓菊
;
王颖慧
论文数:
0
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0
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0
王颖慧
;
特洛伊·乔纳森·贝克
论文数:
0
引用数:
0
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0
特洛伊·乔纳森·贝克
.
中国专利
:CN112820633A
,2021-05-18
[9]
氮化镓薄膜及其远程外延生长方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
曹冰
;
论文数:
引用数:
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机构:
刘淼
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
夏天
.
中国专利
:CN120738767A
,2025-10-03
[10]
一种氧化镓薄膜材料结构及其外延生长方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
何云龙
;
论文数:
引用数:
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机构:
陆小力
;
论文数:
引用数:
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机构:
马晓华
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
郑雪峰
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
郝跃
.
中国专利
:CN119694887A
,2025-03-25
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