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外延硅晶片及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411758515.8
申请日：
2024-12-03
公开(公告)号：
CN120099637A
公开(公告)日：
2025-06-06
发明(设计)人：
三浦雅之
申请人：
胜高股份有限公司
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
C30B29/06
IPC分类号：
C30B15/20 C30B15/04 C30B30/04
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
刘茜;任霄
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-06 公开 公开
2025-12-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20241203
共 50 条
[1]
外延硅晶片及其制造方法 [P]. 
木濑翔太 ;
山口浩司 .
日本专利 :CN120958554A ,2025-11-14
[2]
外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P]. 
古贺祥泰 .
中国专利 :CN112514036A ,2021-03-16
[3]
外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P]. 
古贺祥泰 .
日本专利 :CN112514036B ,2024-02-20
[4]
外延硅晶片及其制造方法、以及贴合SOI晶片及其制造方法 [P]. 
加藤正弘 ;
冈哲史 ;
小林德弘 ;
石塚徹 ;
能登宣彦 .
中国专利 :CN102859649A ,2013-01-02
[5]
外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法 [P]. 
野中直哉 ;
川岛正 ;
大久保胜也 .
中国专利 :CN109791878A ,2019-05-21
[6]
外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法 [P]. 
古谷和也 ;
小野敏昭 ;
鸟越和尚 .
日本专利 :CN117747417A ,2024-03-22
[7]
外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P]. 
野中直哉 ;
川岛正 ;
沟上宪一 .
中国专利 :CN110603350B ,2019-12-20
[8]
外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法 [P]. 
古谷和也 ;
小野敏昭 ;
鸟越和尚 .
中国专利 :CN109891552A ,2019-06-14
[9]
外延硅晶片的制造方法和外延硅晶片 [P]. 
楢原和宏 ;
增田纯久 .
中国专利 :CN104584191B ,2015-04-29
[10]
外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P]. 
川岛正 ;
野中直哉 .
中国专利 :CN111128696A ,2020-05-08
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