一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011557123.7

申请日：

2020-12-25

公开(公告)号：

CN112615257B

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

林志伟陈凯轩童吉楚谢昆江徐枫

申请人：

厦门乾照光电股份有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号

IPC主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片 [P].

林志伟 ;

陈凯轩 ;

童吉楚 ;

谢昆江 ;

徐枫 .

中国专利 :CN112615257A ,2021-04-06

[2]

一种激光器外延结构、VCSEL芯片 [P].

林志伟 ;

陈凯轩 ;

童吉楚 ;

谢昆江 ;

徐枫 .

中国专利 :CN214255059U ,2021-09-21

[3]

一种VCSEL芯片制作方法及激光器 [P].

郑君雄 ;

董波 ;

郭丁凯 ;

黄爽 ;

郑春海 .

中国专利 :CN120895992A ,2025-11-04

[4]

一种VCSEL激光器及其制作方法 [P].

林志伟 ;

陈凯轩 ;

蔡建九 ;

彭钰仁 ;

杜石磊 .

中国专利 :CN110233425A ,2019-09-13

[5]

一种激光器及其制作方法 [P].

李翔 ;

赵德刚 ;

朱建军 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

江德生 .

中国专利 :CN104269740B ,2015-01-07

[6]

一种VCSEL激光器及其制作方法 [P].

李峰柱 ;

韩效亚 ;

杜石磊 ;

罗桂兰 .

中国专利 :CN112038886A ,2020-12-04

[7]

一种VCSEL激光器及其制作方法 [P].

李峰柱 ;

韩效亚 ;

杜石磊 ;

罗桂兰 .

中国专利 :CN112038886B ,2024-08-06

[8]

一种大功率单模VCSEL激光器芯片及其制作方法 [P].

祝进田 .

中国专利 :CN121076587A ,2025-12-05

[9]

一种内腔VCSEL外延结构及其制作方法 [P].

陈昭 ;

代露 ;

李星 .

中国专利 :CN119542919B ,2025-09-23

[10]

一种内腔VCSEL外延结构及其制作方法 [P].

陈昭 ;

代露 ;

李星 .

中国专利 :CN119542919A ,2025-02-28

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