反射掩模坯及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411710047.7

申请日：

2024-11-27

公开(公告)号：

CN120065617A

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

生越大河金子英雄稻月判臣高坂卓郎

申请人：

信越化学工业株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

G03F1/24

IPC分类号：

G03F1/62 C23C14/18 C23C14/06 C23C14/54 C23C14/35

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

杜丽利

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	公开	公开

共 50 条

[1]

反射掩模坯和反射掩模的制造方法 [P].

稻月判臣 ;

高坂卓郎 ;

生越大河 ;

三村祥平 .

日本专利 :CN118778342A ,2024-10-15

[2]

反射型掩模坯料、反射型掩模及反射型掩模坯料的制造方法 [P].

生越大河 ;

金子英雄 ;

稻月判臣 ;

高坂卓郎 .

日本专利 :CN121115389A ,2025-12-12

[3]

反射型掩模坯料及反射型掩模的制造方法 [P].

生越大河 ;

稻月判臣 ;

金子英雄 ;

高坂卓郎 .

日本专利 :CN119916636A ,2025-05-02

[4]

反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法 [P].

高坂卓郎 ;

生越大河 ;

稻月判臣 ;

金子英雄 .

中国专利 :CN115494692A ,2022-12-20

[5]

反射掩模坯料、反射掩模、及其制造方法 [P].

生越大河 ;

高坂卓郎 ;

稻月判臣 .

日本专利 :CN118226700A ,2024-06-21

[6]

EUV光刻用反射型掩模底板及其制造方法 [P].

生田顺亮 .

中国专利 :CN102124542B ,2011-07-13

[7]

反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法 [P].

松井一晃 ;

小岛洋介 .

中国专利 :CN114930245A ,2022-08-19

[8]

反射型光掩模坯、以及反射型光掩模的制造方法 [P].

樱井敬佑 .

日本专利 :CN120831860A ,2025-10-24

[9]

反射型掩模坯以及反射型掩模 [P].

市川显二郎 ;

合田步美 ;

中野秀亮 .

中国专利 :CN115485617A ,2022-12-16

[10]

带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料、反射型掩模、以及半导体装置的制造方法 [P].

中川真德 .

中国专利 :CN114424119A ,2022-04-29

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