一种窄带隙银基半导体的制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510002787.3

申请日：

2025-01-02

公开(公告)号：

CN120001391A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

任栋楼朱彬钟正一

申请人：

广西大学

申请人地址：

530004 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号

IPC主分类号：

B01J27/04

IPC分类号：

C02F1/30 H10K71/12 H10K71/15 B01J37/20 B01J35/39 C01G29/00 C02F101/30

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广西壮族自治区南宁市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B01J 27/04申请日:20250102
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

窄带隙N型有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

李风廷 ;

樊新衡 ;

高彩艳 ;

杨联明 .

中国专利 :CN116947888B ,2025-11-25

[2]

一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法 [P].

王峰 ;

刘萌 ;

贡永帅 ;

李志林 ;

窦美玲 ;

刘景军 ;

吉静 .

中国专利 :CN105762207A ,2016-07-13

[3]

一种In基半导体材料及制备方法和应用 [P].

赵春燕 ;

陈平 ;

张栋栋 ;

符磊 ;

曹慧敏 .

中国专利 :CN111847508B ,2020-10-30

[4]

一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用 [P].

宋海胜 ;

邓辉 ;

袁胜杰 .

中国专利 :CN107248534A ,2017-10-13

[5]

一种三氧化钨半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

彭陈阳 ;

陈允至 ;

谢天锋 ;

刘富德 .

中国专利 :CN108574019A ,2018-09-25

[6]

半导体材料及其制备方法和应用 [P].

郑淑 ;

黄福林 ;

刘远宏 .

中国专利 :CN104752535A ,2015-07-01

[7]

一种稠环化合物、超窄带隙有机半导体材料及制备方法和应用 [P].

耿延候 ;

陈枭枫 ;

邓云峰 .

中国专利 :CN117343076A ,2024-01-05

[8]

一种有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

黄杰 ;

黄佳乐 .

中国专利 :CN102477144A ,2012-05-30

[9]

一种有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

黄杰 ;

黄佳乐 .

中国专利 :CN103154002A ,2013-06-12

[10]

一种有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

黄杰 ;

黄佳乐 .

中国专利 :CN103153953A ,2013-06-12

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