一种SiOx/C复合负极材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510216575.5

申请日：

2025-02-26

公开(公告)号：

CN120149355A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

张钧波成伟唯王钰鲍甜恬陈培培钱彩霞

申请人：

南京师范大学泰州学院

申请人地址：

225300 江苏省泰州市海陵区济川东路96号

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/48 H01M4/62

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

文雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20250226
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

SiOx/C复合负极材料及其制备方法和应用 [P].

李硕 ;

解晶莹 ;

黄海军 ;

韩广帅 ;

张全生 ;

茆胜 .

中国专利 :CN105655564A ,2016-06-08

[2]

一种SiOx/C负极材料制备方法 [P].

唐仁衡 ;

肖方明 ;

王英 ;

孙泰 .

中国专利 :CN105789590A ,2016-07-20

[3]

一种SiOx复合负极材料的制备方法 [P].

唐仁衡 ;

肖方明 ;

王英 ;

孙泰 ;

黄玲 .

中国专利 :CN105977463A ,2016-09-28

[4]

一种石墨@SiOx@C复合负极材料及其制备方法和应用 [P].

张亚光 ;

王振 .

中国专利 :CN112331851A ,2021-02-05

[5]

一种SiOx/Cu/C复合负极材料的制备方法 [P].

彭果戈 ;

谌庆春 ;

杨超 ;

夏振宇 ;

周政 ;

何凤荣 .

中国专利 :CN110534715A ,2019-12-03

[6]

一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法 [P].

牛研捷 ;

席风硕 ;

马文会 ;

李绍元 ;

陆继军 ;

魏奎先 ;

陈正杰 ;

万小涵 ;

刘昊博 .

中国专利 :CN118183749A ,2024-06-14

[7]

一种纳米硅@SiOx/MXene复合负极材料及其制备方法 [P].

席风硕 ;

牛研捷 ;

马文会 ;

李绍元 ;

陆继军 ;

魏奎先 ;

陈正杰 ;

万小涵 ;

刘昊博 .

中国专利 :CN118183749B ,2025-11-14

[8]

一种SiOx-MWCNTs/C核壳复合负极材料及其制备方法、应用 [P].

毕超奇 ;

王健 ;

林少雄 ;

蔡桂凡 ;

王叶 ;

陈晨 ;

梁栋栋 .

中国专利 :CN112289983B ,2021-01-29

[9]

一种多孔碳负载介孔SiOx/C复合负极材料及其制备方法 [P].

汪涛 ;

杨尘 ;

王启岁 .

中国专利 :CN107342407B ,2017-11-10

[10]

一种具有核壳结构的SiOx-C复合负极材料及其制备方法 [P].

唐晶晶 ;

杨娟 ;

王辉 ;

周向阳 .

中国专利 :CN109888240A ,2019-06-14

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