半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510328126.X

申请日：

2025-03-19

公开(公告)号：

CN120152282A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

章思尧

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市泰山区南林路98号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10D64/01 H10D64/23

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;张铮铮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20250319
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

曹堪宇 ;

庄凌艺 ;

骆晓东 .

中国专利 :CN118969771A ,2024-11-15

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘铭棋 ;

郭俊聪 .

中国专利 :CN115566018A ,2023-01-03

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

李芳宏 ;

刘吉峰 .

中国专利 :CN119893989A ,2025-04-25

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

曹堪宇 ;

庄凌艺 ;

骆晓东 .

中国专利 :CN118969771B ,2025-03-28

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

许汉杰 ;

许正源 ;

张骕远 .

中国专利 :CN113013331B ,2024-04-05

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

蔡沅昇 .

中国专利 :CN120512885A ,2025-08-19

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

王启安 ;

任楷 ;

张维哲 .

中国专利 :CN114122256A ,2022-03-01

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

颜丽敏 ;

陈品宏 ;

林佶民 .

中国专利 :CN120614808A ,2025-09-09

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

程慷果 ;

B·A·卡恩 .

中国专利 :CN101043036A ,2007-09-26

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

吴楠 .

中国专利 :CN119730231A ,2025-03-28

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