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一种氮化硅粉体的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510440749.6
申请日：
2025-04-09
公开(公告)号：
CN120157089A
公开(公告)日：
2025-06-17
发明(设计)人：
潘佳伟 胡尊兰 周平 王龙 杨阳 赵晓兰
申请人：
浙江英德赛半导体材料股份有限公司
申请人地址：
314415 浙江省嘉兴市海宁市尖山新区安江路38号
IPC主分类号：
C01B21/068
IPC分类号：
代理机构：
杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217
代理人：
范筱雁
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省 嘉兴市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-17 公开 公开
2025-07-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 21/068申请日:20250409
共 50 条
[1]
氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P]. 
史颖颖 ;
王正 ;
王良 ;
杜盼盼 ;
薛国梁 .
中国专利 :CN119241256A ,2025-01-03
[2]
氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P]. 
史颖颖 ;
王正 ;
王良 ;
杜盼盼 ;
薛国梁 .
中国专利 :CN119241256B ,2025-03-25
[3]
一种α相氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
谢志鹏 ;
胡尊兰 .
中国专利 :CN107954723A ,2018-04-24
[4]
一种氮化硅粉体前驱体、氮化硅粉体及其制备方法 [P]. 
高朋召 ;
肖汉宁 ;
覃航 ;
郭文明 .
中国专利 :CN119039007A ,2024-11-29
[5]
氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷 [P]. 
韩召 ;
刘鹏飞 ;
郗威 ;
吴六顺 .
中国专利 :CN118420356A ,2024-08-02
[6]
一种改性高α相氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
张红冉 ;
刘久明 .
中国专利 :CN107698264A ,2018-02-16
[7]
一种氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
任小平 .
中国专利 :CN108557780A ,2018-09-21
[8]
一种氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
冯家伟 ;
施纯锡 .
中国专利 :CN119330315A ,2025-01-21
[9]
一种氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
张晶 ;
孙峰 ;
张伟儒 ;
董廷霞 ;
徐学敏 ;
姜自飞 ;
段伟斌 ;
王春河 ;
王梅 .
中国专利 :CN111792937A ,2020-10-20
[10]
氮化硅粉体及其制备方法 [P]. 
史颖颖 ;
王正 ;
杜盼盼 ;
王良 ;
薛国梁 ;
陈超 ;
王雯 .
中国专利 :CN119898738A ,2025-04-29
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