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一种绝缘体上锗衬底结构通过离子注入工艺的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510579277.2
申请日：
2025-05-07
公开(公告)号：
CN120164846A
公开(公告)日：
2025-06-17
发明(设计)人：
陈敏腾
杨秀静
申请人：
腾云创芯半导体材料（上海）有限公司
申请人地址：
200120 上海市浦东新区盛夏路169号A幢132F日月光集团(上海)总部413室
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-17 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20250507 |