一种氮化镓基激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210440820.7

申请日：

2022-04-25

公开(公告)号：

CN114825043B

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

陈振宇赵德刚梁峰刘宗顺陈平杨静

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5/20

IPC分类号：

H01S5/343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化镓基激光器 [P].

陈振宇 ;

赵德刚 ;

梁峰 ;

刘宗顺 ;

陈平 ;

杨静 .

中国专利 :CN114825043A ,2022-07-29

[2]

一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN114142345A ,2022-03-04

[3]

一种氮化镓基激光器制备方法和氮化镓基激光器 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

陈平 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN114142345B ,2024-04-30

[4]

氮化镓基激光器及其制备方法 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

杨静 ;

朱建军 ;

刘宗顺 ;

陈平 .

中国专利 :CN112134143B ,2020-12-25

[5]

一种氮化镓基近紫外激光器外延结构 [P].

李书平 ;

谈奇灵 ;

黄胜利 .

中国专利 :CN118448984A ,2024-08-06

[6]

一种氮化镓基半导体激光器 [P].

郑锦坚 ;

邓和清 ;

张江勇 ;

寻飞林 ;

李晓琴 ;

陈婉君 ;

黄军 ;

李水清 .

中国专利 :CN118739025A ,2024-10-01

[7]

氮化镓基激光器的制备方法 [P].

陈振宇 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN119742659B ,2025-12-09

[8]

氮化镓基激光器的制备方法 [P].

陈振宇 ;

赵德刚 ;

梁锋 ;

刘宗顺 ;

杨静 .

中国专利 :CN119742659A ,2025-04-01

[9]

氮化镓基激光器腔面结构、氮化镓基激光器及其制备方法 [P].

胡磊 ;

吴思 ;

李增成 .

中国专利 :CN117595076A ,2024-02-23

[10]

一种氮化镓基半导体激光器 [P].

郑锦坚 ;

李水清 ;

蔡鑫 ;

黄军 ;

刘紫涵 ;

王星河 .

中国专利 :CN221379981U ,2024-07-19

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