一种具有高激子利用率的OLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510622851.8

申请日：

2025-05-15

公开(公告)号：

CN120152517A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

钱妍赵洋恺

申请人：

南京邮电大学

申请人地址：

210000 江苏省南京市栖霞区文苑路9号

IPC主分类号：

H10K50/12

IPC分类号：

H10K71/00 H10K85/60 C09K11/06 C07D209/86 C07C221/00 C07C225/22

代理机构：

兴东知识产权代理有限公司 34148

代理人：

齐小松

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-15	授权	授权
2025-06-13	公开	公开
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 50/12申请日:20250515

共 50 条

[1]

一种具有高激子利用率的OLED器件及其制备方法 [P].

钱妍 ;

赵洋恺 .

中国专利 :CN120152517B ,2025-07-15

[2]

高激子利用率的发光材料及其应用 [P].

王亚飞 ;

肖陈 ;

刘心怡 ;

朱卫国 .

中国专利 :CN116375718B ,2025-02-25

[3]

具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用 [P].

钱妍 ;

杨涛 ;

密保秀 ;

高志强 ;

蒋鑫晨 ;

张宏梅 .

中国专利 :CN113563325A ,2021-10-29

[4]

具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用 [P].

钱妍 ;

张勇 ;

杨宁婧 .

中国专利 :CN116874444B ,2025-10-10

[5]

一种空间利用率高的OLED器件 [P].

宋文志 .

中国专利 :CN213878098U ,2021-08-03

[6]

高激子利用率蓝色荧光材料及其制备与应用 [P].

马於光 ;

应磊 ;

胡德华 .

中国专利 :CN112538049B ,2021-03-23

[7]

一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用 [P].

钱妍 ;

蒋鑫晨 ;

杨国强 ;

姚丰 ;

密保秀 ;

高志强 .

中国专利 :CN114874262B ,2024-06-28

[8]

一种具有高激子利用率青蓝色荧光材料及其应用 [P].

钱妍 ;

蒋鑫晨 ;

杨国强 ;

姚丰 ;

密保秀 ;

高志强 .

中国专利 :CN114874262A ,2022-08-09

[9]

一种高激子利用率有机发光材料及其制备方法与应用 [P].

李应成 ;

崔晶 ;

孙旭阳 ;

陈雪 ;

张培斌 .

中国专利 :CN114478393B ,2024-02-02

[10]

一种高激子利用率有机发光材料及其制备方法与应用 [P].

李应成 ;

崔晶 ;

孙旭阳 ;

陈雪 ;

张培斌 .

中国专利 :CN114478393A ,2022-05-13

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