基于HKMG技术的嵌入式非易失性存储器中均衡栅极高度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202580000648.5

申请日：

2025-02-14

公开(公告)号：

CN120188234A

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

克里希纳斯瓦米·拉姆库马尔希瓦南达·谢蒂

申请人：

英飞凌科技有限责任公司

申请人地址：

美国

IPC主分类号：

H01B41/35

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王晓芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	公开	公开
2025-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01B 41/35申请日:20250214

共 50 条

[1]

嵌入式HKMG非易失性存储器 [P].

吴伟成 ;

陈姿妤 .

中国专利 :CN106935591A ,2017-07-07

[2]

嵌入式HKMG非易失性存储器 [P].

吴伟成 ;

邓立峰 .

中国专利 :CN107039421A ,2017-08-11

[3]

嵌入式HKMG非易失性存储器 [P].

吴伟成 ;

陈姿妤 .

中国专利 :CN106935590A ,2017-07-07

[4]

嵌入式非易失性存储器 [P].

吴常明 ;

吴伟成 ;

曾元泰 ;

刘世昌 ;

蔡嘉雄 ;

李汝谅 ;

庄学理 .

中国专利 :CN104952479A ,2015-09-30

[5]

嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法 [P].

陈春 ;

J·朴 ;

金恩顺 ;

姜仁国 ;

姜成泽 ;

张国栋 .

中国专利 :CN110785845A ,2020-02-11

[6]

嵌入式非易失性存储器器件及其制造方法 [P].

陈春 ;

J·朴 ;

金恩顺 ;

姜仁国 ;

姜成泽 ;

张国栋 .

美国专利 :CN110785845B ,2024-01-05

[7]

用于嵌入式非易失性存储器技术的测试线字母 [P].

连瑞宗 ;

朱芳兰 ;

林宏达 ;

吴伟成 ;

张谷宁 ;

王羽榛 .

中国专利 :CN106601640A ,2017-04-26

[8]

有高K金属栅极的嵌入式SONOS和高压选择栅极及其制造方法 [P].

拉姆库马尔·克里希纳斯瓦米 ;

文卡特拉曼·普拉巴卡尔 .

中国专利 :CN114342078A ,2022-04-12

[9]

非易失性存储器设备和在非易失性存储器中编程的方法 [P].

崔容赫 ;

南尚完 ;

柳载德 ;

李耀翰 .

中国专利 :CN114496041A ,2022-05-13

[10]

非易失性存储器中的损耗均衡 [P].

K·K·古纳姆 .

中国专利 :CN114730292A ,2022-07-08

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