垂直场效应晶体管结构和垂直场效应晶体管结构制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411835751.5
申请日
2024-12-13
公开(公告)号
CN120166748A
公开(公告)日
2025-06-17
发明(设计)人
J·巴林豪斯
申请人
罗伯特·博世有限公司
申请人地址
德国斯图加特
IPC主分类号
H10D30/62
IPC分类号
H10D62/17 H10D30/01
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
郭毅
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
垂直场效应晶体管结构和用于制造垂直场效应晶体管结构的方法 [P]. 
D·克雷布斯 .
德国专利 :CN118299418A ,2024-07-05
[2]
制造垂直场效应晶体管的方法和场效应晶体管 [P]. 
H·图斯 .
中国专利 :CN100464430C ,2006-12-06
[3]
用于制造垂直场效应晶体管结构的方法和相应的垂直场效应晶体管结构 [P]. 
C·胡贝尔 ;
D·克雷布斯 .
德国专利 :CN117894842A ,2024-04-16
[4]
制造垂直场效应晶体管结构的方法和垂直场效应晶体结构 [P]. 
D·克雷布斯 .
德国专利 :CN119922951A ,2025-05-02
[5]
垂直场效应晶体管 [P]. 
姜明吉 ;
朴乘汉 ;
朴容喜 ;
白尚训 ;
李相遇 ;
千健龙 ;
黄成万 .
中国专利 :CN107452802A ,2017-12-08
[6]
垂直场效应晶体管和用于制造垂直场效应晶体管的方法 [P]. 
J·巴林豪斯 .
中国专利 :CN114342084A ,2022-04-12
[7]
垂直场效应晶体管 [P]. 
于贤根 ;
弗兰基·索 ;
金渡泳 ;
布哈本德拉·K·普拉丹 .
中国专利 :CN108496240A ,2018-09-04
[8]
垂直场效应晶体管和用于制造垂直场效应晶体管的方法 [P]. 
J·巴林豪斯 .
德国专利 :CN114342084B ,2025-10-28
[9]
场效应晶体管 [P]. 
村濑清一郎 ;
山本真衣子 ;
真多淳二 ;
清水浩二 .
中国专利 :CN105190901A ,2015-12-23
[10]
垂直场效应晶体管和用于构造垂直场效应晶体管的方法 [P]. 
J·巴林豪斯 .
中国专利 :CN115136321A ,2022-09-30