一种光子晶体光纤环与铌酸锂调制器芯片耦合装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510599176.1

申请日：

2025-05-10

公开(公告)号：

CN120233502A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

邸校东安士龙李晨阳

申请人：

北京浦丹光电股份有限公司

申请人地址：

102600 北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路18号1幢、2幢

IPC主分类号：

G02B6/42

IPC分类号：

代理机构：

北京维正专利代理有限公司 11508

代理人：

李传亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 6/42申请日:20250510
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片 [P].

李贝 ;

刘国栋 ;

曹军 ;

宋杰 ;

杨峰峰 .

中国专利 :CN111897146A ,2020-11-06

[2]

铌酸锂调制器用光波导与光纤耦合的实现方法及耦合装置 [P].

李汉国 ;

蒲天春 ;

蔡义智 ;

谭松 ;

曹宏斌 .

中国专利 :CN1238743C ,2003-05-14

[3]

一种铌酸锂调制器 [P].

陈小梅 ;

董旭光 ;

王冲 ;

尤磊 ;

傅力 ;

李林松 ;

李迪 ;

吴凡 .

中国专利 :CN205982751U ,2017-02-22

[4]

一种铌酸锂调制器 [P].

张洪涛 ;

逄博 ;

刘磊 ;

李鑫 ;

马世超 ;

郑名扬 ;

谢秀平 .

中国专利 :CN119024582B ,2025-10-17

[5]

一种铌酸锂调制器 [P].

张洪涛 ;

逄博 ;

刘磊 ;

李鑫 ;

马世超 ;

郑名扬 ;

谢秀平 .

中国专利 :CN119024582A ,2024-11-26

[6]

一种铌酸锂调制器 [P].

王定理 ;

赵明璐 ;

徐晓辉 ;

凌九红 .

中国专利 :CN203287647U ,2013-11-13

[7]

石英基铌酸锂调制器的制备方法以及铌酸锂调制器 [P].

靳春艳 ;

张朝阳 ;

战永兴 .

中国专利 :CN120779620A ,2025-10-14

[8]

铌酸锂调制器的芯片布局结构 [P].

陆明之 .

中国专利 :CN216248666U ,2022-04-08

[9]

一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法 [P].

傅力 ;

潘昊 ;

李林松 ;

丁丽 ;

黄晓东 .

中国专利 :CN112782876A ,2021-05-11

[10]

一种薄膜铌酸锂调制器 [P].

国伟华 ;

唐永前 ;

陆巧银 .

中国专利 :CN114280820A ,2022-04-05

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