一种In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>纳米线及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510503160.6
申请日
2025-04-22
公开(公告)号
CN120291032A
公开(公告)日
2025-07-11
发明(设计)人
张军伟 姜硕 邱晓涛 邓霞 赵芯蕊 魏明钰 何九涉 尉诗洋 张亚星 张丽娟 彭蓉 姚洋 贺娃 彭勇
申请人
兰州大学
申请人地址
730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号
IPC主分类号
C23C14/34
IPC分类号
C23C14/08 C23C14/06 B82Y40/00
代理机构
北京睿阳联合知识产权代理有限公司 11758
代理人
康志梅
法律状态
公开
国省代码
甘肃省 兰州市
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共 50 条
[1]
一种超长H<sub>2</sub>V<sub>3</sub>O<sub>8</sub>纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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陈庆霞 ;
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[9]
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[10]
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