一种硅碳负极材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210934021.5

申请日：

2022-08-04

公开(公告)号：

CN115360331B

公开(公告)日：

2025-07-04

发明(设计)人：

张涛高英杰孙壮崔成昊

申请人：

泰安市产业技术创新研究院（山东产业技术研究院泰安分院）

申请人地址：

271025 山东省泰安市高新区北集坡街道正阳门大街28号

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/58 H01M4/62 H01M10/0525

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

授权

国省代码：

山东省济南市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

张涛 ;

高英杰 ;

孙壮 ;

崔成昊 .

中国专利 :CN115360331A ,2022-11-18

[2]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

严烁 .

中国专利 :CN118572066A ,2024-08-30

[3]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

陈厚富 ;

胡亮 ;

彭天权 ;

俞有康 ;

章镇 ;

谭桂明 .

中国专利 :CN115863600B ,2025-09-16

[4]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

钟辉 ;

李向钰 ;

洪晶 ;

张泽娜 ;

张程 ;

张翼 .

中国专利 :CN120784308A ,2025-10-14

[5]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

吴秋丽 ;

张凯 .

中国专利 :CN118039825A ,2024-05-14

[6]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

杜洪彦 ;

田晓录 ;

赵春利 ;

李春辉 ;

刘严 ;

杨溪芹 ;

张晶晶 .

中国专利 :CN118867189A ,2024-10-29

[7]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

李昊 ;

李波 ;

张聪 ;

胡鹏飞 .

中国专利 :CN117577816A ,2024-02-20

[8]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

随东 ;

孙志蓉 ;

刘文文 ;

安然 ;

杨艳良 .

中国专利 :CN120184227B ,2025-08-12

[9]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

冯佳 .

中国专利 :CN115966684B ,2025-08-19

[10]

一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P].

张丝雨 ;

董文芊 ;

高焕新 ;

孙赛 ;

张同宝 .

中国专利 :CN115377405A ,2022-11-22

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