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光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411269171.4
申请日：
2024-09-11
公开(公告)号：
CN118795730B
公开(公告)日：
2025-07-01
发明(设计)人：
请求不公布姓名 请求不公布姓名 请求不公布姓名 请求不公布姓名
申请人：
珠海基石科技有限公司
申请人地址：
519050 广东省珠海市金湾区南水镇南水社区南港中路18号1栋602室
IPC主分类号：
G03F7/004
IPC分类号：
G03F7/09 H01L21/027
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
易浩球
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-05 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/004申请日:20240911
2024-10-18 公开 公开
2025-07-01 授权 授权
共 50 条
[1]
光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118795730A ,2024-10-18
[2]
抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118818899A ,2024-10-22
[3]
图案化组合物、图案化薄膜、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118884779A ,2024-11-01
[4]
图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118393811B ,2024-09-03
[5]
图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118393811A ,2024-07-26
[6]
图案化材料组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118707806A ,2024-09-27
[7]
图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118393812B ,2024-08-30
[8]
图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120491389A ,2025-08-15
[9]
图案化组合物、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118393812A ,2024-07-26
[10]
组合物及其制备方法、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118244581B ,2024-08-13
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