一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211174559.7

申请日：

2022-09-26

公开(公告)号：

CN115623860B

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

尉国栋袁帅李兰翟配郴苏莹丁利苹

申请人：

陕西科技大学

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

B82Y40/00

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

马贵香

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法 [P].

尉国栋 ;

袁帅 ;

李兰 ;

翟配郴 ;

苏莹 ;

丁利苹 .

中国专利 :CN115623860A ,2023-01-17

[2]

碳化硅纳米线的制备方法 [P].

李克智 ;

魏剑 ;

李贺军 ;

张雨雷 ;

欧阳海波 .

中国专利 :CN101215187A ,2008-07-09

[3]

一种碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

高万源 .

中国专利 :CN120229958A ,2025-07-01

[4]

一种碳化硅纳米线及其制备方法 [P].

王洪升 ;

栾强 ;

韦其红 ;

朱保鑫 ;

李伶 ;

张萍萍 .

中国专利 :CN111498851A ,2020-08-07

[5]

碳化硅纳米线结合碳化硅陶瓷的制备方法 [P].

高万源 .

中国专利 :CN120229963A ,2025-07-01

[6]

一种制备碳化硅纳米线的方法 [P].

马文会 ;

杨斌 ;

王华 ;

刘大春 ;

戴永年 ;

朱文杰 ;

伍继君 ;

罗晓刚 ;

汪镜福 ;

魏奎先 ;

徐宝强 ;

秦博 .

中国专利 :CN101386409A ,2009-03-18

[7]

一种碳化硅纳米线的制备方法 [P].

郭向云 ;

郝建英 ;

靳国强 ;

王英勇 .

中国专利 :CN101786622A ,2010-07-28

[8]

一种碳化硅纳米线的制备方法 [P].

蔡克峰 ;

雷强 .

中国专利 :CN100384725C ,2007-01-24

[9]

一种碳化硅纳米线的制备方法 [P].

沈晓燕 ;

陈林 ;

黄勇峰 .

中国专利 :CN108502885B ,2018-09-07

[10]

一种碳化硅纳米线的制备方法 [P].

蔡佩君 .

中国专利 :CN102295287A ,2011-12-28

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