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一种具有新型场板的氮化镓功率器件结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202422252759.0
申请日
:
2024-09-13
公开(公告)号
:
CN223080398U
公开(公告)日
:
2025-07-08
发明(设计)人
:
刘勇
罗鹏
刘家才
朱仁强
申请人
:
成都氮矽科技有限公司
申请人地址
:
610000 四川省成都市高新区天府五街168号5楼501室
IPC主分类号
:
H10D64/00
IPC分类号
:
H10D30/60
H10D62/85
代理机构
:
成都睿道智诚专利代理有限公司 51217
代理人
:
黄垒
法律状态
:
授权
国省代码
:
四川省 成都市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-08
授权
授权
共 50 条
[1]
一种具有多层场板的氮化镓功率器件
[P].
郭超凡
论文数:
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0
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
郭超凡
;
张铭宏
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
张铭宏
;
吴毅锋
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
吴毅锋
;
王中党
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
王中党
.
中国专利
:CN223391593U
,2025-09-26
[2]
一种具有多场板结构的氮化镓功率器件
[P].
王书昶
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王书昶
;
穆久涛
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穆久涛
;
冯源
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冯源
;
况亚伟
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况亚伟
;
张惠国
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张惠国
.
中国专利
:CN211858659U
,2020-11-03
[3]
氮化镓功率器件结构
[P].
贺洁
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贺洁
;
王书昶
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王书昶
;
黄飞明
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黄飞明
;
励晔
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励晔
.
中国专利
:CN212257404U
,2020-12-29
[4]
一种氮化镓功率器件结构
[P].
施雯
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机构:
杭州云镓半导体科技有限公司
杭州云镓半导体科技有限公司
施雯
;
董志文
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机构:
杭州云镓半导体科技有限公司
杭州云镓半导体科技有限公司
董志文
;
唐高飞
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机构:
杭州云镓半导体科技有限公司
杭州云镓半导体科技有限公司
唐高飞
;
蒋其梦
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机构:
杭州云镓半导体科技有限公司
杭州云镓半导体科技有限公司
蒋其梦
.
中国专利
:CN120567129A
,2025-08-29
[5]
一种氮化镓功率器件封装结构
[P].
王勇
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王勇
;
邬晓斌
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邬晓斌
.
中国专利
:CN217822763U
,2022-11-15
[6]
一种氮化镓功率器件
[P].
李会杰
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李会杰
;
田志怀
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田志怀
;
路立峰
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路立峰
;
唐兰香
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唐兰香
;
高建海
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高建海
;
孟立智
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孟立智
.
中国专利
:CN210073810U
,2020-02-14
[7]
一种氮化镓功率器件
[P].
谢自力
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机构:
南京集芯光电技术研究院有限公司
南京集芯光电技术研究院有限公司
谢自力
.
中国专利
:CN222655520U
,2025-03-21
[8]
一种氮化镓功率器件
[P].
郭超凡
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
郭超凡
;
张铭宏
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
张铭宏
;
王中党
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机构:
珠海镓未来科技有限公司
珠海镓未来科技有限公司
王中党
.
中国专利
:CN223415189U
,2025-10-03
[9]
一种氮化镓功率器件
[P].
魏瑞翔
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机构:
安徽奇派恪科技有限公司
安徽奇派恪科技有限公司
魏瑞翔
;
韦志华
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机构:
安徽奇派恪科技有限公司
安徽奇派恪科技有限公司
韦志华
.
中国专利
:CN223539588U
,2025-11-11
[10]
一种氮化镓功率器件
[P].
陈道坤
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陈道坤
;
史波
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史波
;
曾丹
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曾丹
;
敖利波
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敖利波
.
中国专利
:CN210640256U
,2020-05-29
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