一种芯片正面铜电极互连用覆膜铜片及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510211988.4

申请日：

2025-02-25

公开(公告)号：

CN120237026A

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

陈诺邓钟炀黄业文

申请人：

北京清连科技有限公司

申请人地址：

101111 北京市通州区经海五路1号院北工大科技园大厦29号楼8层

IPC主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L23/492 H01L23/488

代理机构：

北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543

代理人：

陶敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/60申请日:20250225
2025-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于芯片正面铜电极互连的覆膜铜片及其制备方法和应用 [P].

邓钟炀 .

中国专利 :CN119560388B ,2025-08-05

[2]

一种用于芯片正面铜电极互连的覆膜铜片及其制备方法和应用 [P].

邓钟炀 .

中国专利 :CN119560388A ,2025-03-04

[3]

一种用于芯片正面电极连接的覆膜铜片及其制备方法和应用 [P].

邓钟炀 .

中国专利 :CN119187552A ,2024-12-27

[4]

一种干法电极膜及其制备方法和应用 [P].

陈永胜 ;

孙国林 ;

张洪涛 ;

倪铭韩 .

中国专利 :CN117855485B ,2025-01-28

[5]

一种干法电极膜及其制备方法和应用 [P].

陈永胜 ;

孙国林 ;

张洪涛 ;

倪铭韩 .

中国专利 :CN117855485A ,2024-04-09

[6]

一种Cu互连用扩散阻挡层及其制备方法和应用 [P].

孟瑜 ;

宋忠孝 ;

李雁淮 .

中国专利 :CN110911352B ,2020-03-24

[7]

一种铜互连结构及其制备方法和应用 [P].

康云飞 ;

吴凯 ;

黄弘斌 ;

蔡海军 ;

刘珊珊 ;

任鑫鸿 ;

黄周师 ;

何坤鹏 .

中国专利 :CN119627016A ,2025-03-14

[8]

膜电极及其制备方法和应用 [P].

刘邵帅 .

中国专利 :CN117438623A ,2024-01-23

[9]

一种膜电极及其制备方法和应用 [P].

倪海芳 ;

王顺忠 ;

艾勇诚 ;

王力南 ;

陈威 ;

曹雅丽 ;

周明正 ;

赵维 ;

庄仲滨 .

中国专利 :CN119581625B ,2025-11-11

[10]

一种膜电极及其制备方法和应用 [P].

程小波 ;

何广利 ;

刘艳莹 ;

许壮 ;

张增光 .

中国专利 :CN118345408A ,2024-07-16

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