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带有写缓冲系统的非易失性存储器的初始化方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510264756.5
申请日
:
2025-03-06
公开(公告)号
:
CN120256344A
公开(公告)日
:
2025-07-04
发明(设计)人
:
王建群
徐成宇
申请人
:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储科技有限公司
申请人地址
:
100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405
IPC主分类号
:
G06F13/16
IPC分类号
:
G06F13/42
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G06F 13/16申请日:20250306
2025-07-04
公开
公开
共 50 条
[1]
带有写缓冲系统的非易失性存储器
[P].
王建群
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
王建群
;
徐成宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
徐成宇
.
中国专利
:CN120256343A
,2025-07-04
[2]
用于非易失性存储器初始化的技术
[P].
于亮
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
于亮
;
J·S·帕里
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
J·S·帕里
.
美国专利
:CN121122355A
,2025-12-12
[3]
相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
[P].
王月青
论文数:
0
引用数:
0
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0
王月青
;
蔡道林
论文数:
0
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0
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蔡道林
;
陈一峰
论文数:
0
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0
陈一峰
;
宋志棠
论文数:
0
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0
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0
宋志棠
;
魏宏阳
论文数:
0
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0
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0
魏宏阳
;
霍如如
论文数:
0
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0
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0
霍如如
.
中国专利
:CN105869671A
,2016-08-17
[4]
控制非易失性存储器器件的初始化的方法以及存储器系统
[P].
金真怜
论文数:
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金真怜
;
柳载德
论文数:
0
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柳载德
.
中国专利
:CN112599174A
,2021-04-02
[5]
控制非易失性存储器器件的初始化的方法以及存储器系统
[P].
金真怜
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金真怜
;
柳载德
论文数:
0
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0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
柳载德
.
韩国专利
:CN112599174B
,2025-10-17
[6]
非易失性存储器设备和控制其初始化的方法
[P].
申芝渊
论文数:
0
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0
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0
申芝渊
;
南尚完
论文数:
0
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0
南尚完
;
朴相元
论文数:
0
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0
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0
朴相元
.
中国专利
:CN112309475A
,2021-02-02
[7]
非易失性存储器NVM页框初始化方法、装置和系统
[P].
夏飞
论文数:
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0
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0
夏飞
;
蒋德钧
论文数:
0
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蒋德钧
;
熊劲
论文数:
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0
熊劲
.
中国专利
:CN105094689A
,2015-11-25
[8]
用于一非易失性存储器阵列的标记方法及初始化方法
[P].
林景洋
论文数:
0
引用数:
0
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0
林景洋
.
中国专利
:CN102385921B
,2012-03-21
[9]
非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法
[P].
李润烈
论文数:
0
引用数:
0
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0
李润烈
;
韩煜基
论文数:
0
引用数:
0
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0
韩煜基
.
中国专利
:CN110379450A
,2019-10-25
[10]
非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法
[P].
李润烈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李润烈
;
韩煜基
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
韩煜基
.
韩国专利
:CN110379450B
,2025-05-06
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