一种厚膜采样电阻器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510431325.3
申请日
2025-04-08
公开(公告)号
CN120280245A
公开(公告)日
2025-07-08
发明(设计)人
郑金兰 严勇 潘甲东 赵章迅 雷平 王舒琪
申请人
福建毫米电子有限公司
申请人地址
362000 福建省泉州市鲤城区常泰街道泰新街58号1栋4楼
IPC主分类号
H01C7/00
IPC分类号
H01C17/065
代理机构
泉州君典专利代理事务所(普通合伙) 35239
代理人
陈德阳
法律状态
公开
国省代码
福建省
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共 50 条
[1]
一种栅极厚膜电阻器及其制备方法和IGBT功率模块 [P]. 
张飞林 ;
王旭 ;
陈雪林 ;
廖伟强 ;
刘东升 ;
杨冬冬 ;
魏娜 ;
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卢丹 ;
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[2]
一种高功率厚膜晶片电阻器 [P]. 
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[3]
基于陶瓷电阻厚膜混合电阻器 [P]. 
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王腾慰 ;
彭荣根 ;
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中国专利 :CN223612158U ,2025-11-28
[4]
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[5]
一种厚膜电阻及其制备方法 [P]. 
叶展昭 ;
曾佑 ;
彭幸 ;
沈华生 ;
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[6]
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[7]
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杨波 ;
郑如涛 ;
黄明怀 ;
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[8]
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彭荣根 ;
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[9]
可用于制备厚膜电阻器的莫来石复合材料绝缘基片、厚膜电阻器及其制备方法 [P]. 
程海峰 ;
刘海韬 ;
田浩 ;
周永江 ;
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[10]
一种汽车平面厚膜电阻器 [P]. 
张伟君 .
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